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ONAYA, Takashi (女屋 崇) 0000-0002-2710-8623

Address
305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]

[Research papers] | [Books] | [Proceedings] | [Presentations] | [Misc] | [Patents]

Research papers TSV

2022
  1. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita. Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1−xO2-based metal–ferroelectric–semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 °C). APL Materials. 10 [5] (2022) 051110 10.1063/5.0091661
2021
  1. Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, Tamotsu Hashizume, Yasuo Koide. Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A. 39 [6] (2021) 062405 10.1116/6.0001334
  2. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita. Study of SiO2 Interfacial Layer Growth during Fabrication Process of Ferroelectric HfxZr1−XO2-Based Metal-Ferroelectric Semiconductor. ECS Transactions. (2021) 129-135 10.1149/10404.0129ecst
  3. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [SC] (2021) SCCM01 10.35848/1347-4065/abe685
  4. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura. Correlation between ferroelectricity and ferroelectric orthorhombic phase of HfxZr1−xO2 thin films using synchrotron x-ray analysis. APL Materials. 9 [3] (2021) 031111 10.1063/5.0035848
  5. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Comparison of characteristics of thin-film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O3. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [3] (2021) 030903 10.35848/1347-4065/abde54
2020
  1. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity and breakdown voltage of over 20-nm-thick HfxZr1−xO2/ZrO2 bilayer by atomic layer deposition. Applied Physics Letters. 117 [23] (2020) 232902 10.1063/5.0029709
  2. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura. Improvement of Ferroelectricity and Fatigue Property of Thicker HfxZr1−XO2/ZrO2 Bi-layer. ECS Transactions. 98 [3] (2020) 63-70 10.1149/09803.0063ecst
2019
  1. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O3. ECS Transactions. 92 [3] (2019) 3-13 10.1149/09203.0003ecst
  2. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated by 300 °C low temperature process with plasma-enhanced atomic layer deposition. Microelectronic Engineering. 215 (2019) 111013 10.1016/j.mee.2019.111013
  3. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films using top- and bottom-ZrO2 nucleation layers. APL Materials. 7 [6] (2019) 061107 10.1063/1.5096626
2018
  1. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Kazunori Kurishima, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated Using TiN Stressor and ZrO2 Nucleation Techniques. ECS Transactions. 86 [6] (2018) 31-38 10.1149/08606.0031ecst
  2. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Kazunori Kurishima, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Improved leakage current properties of ZrO 2 /(Ta/Nb)O x -Al 2 O 3 /ZrO 2 nanolaminate insulating stacks for dynamic random access memory capacitors. Thin Solid Films. 655 (2018) 48-53 10.1016/j.tsf.2018.02.010
2017
  1. Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame, Thang Duy Dao, Ippei Yamamoto, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Kazuyuki Kohama, Tomoji Ohishi, Atsushi Ogura, Tadaaki Nagao. Improvement of smooth surface of RuO2 bottom electrode on Al2O3 buffer layer and characteristics of RuO2/TiO2/Al2O3/TiO2/RuO2 capacitors. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 35 [6] (2017) 061503 10.1116/1.4998425
  2. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity of Hf x Zr1− x O2 thin films using ZrO2 seed layer. Applied Physics Express. 10 [8] (2017) 081501 10.7567/apex.10.081501

Books TSV

Proceedings TSV

2019
  1. Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). (2019) 10.1109/edtm.2019.8731167

Presentations TSV

2023
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, J. Kim, C.-Y. Nam, E. H. R. Tsai, K. Kita. Role of interface reaction layer between ferroelectric HfxZr1−xO2 thin film and TiN electrode on endurance properties. INFOS2023 23rd CONFERENCE ON INSULATING FILMS ON SEMICONDUCTORS. 2023
  2. 女屋 崇, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 塚越 一仁, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之. 分極疲労時の強誘電体HfxZr1−xO2/TiN界面反応に起因した酸素欠損生成の起源. 2023年　第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
  3. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 松川 貴. TiN下部電極の表面酸化による強誘電体TiN/HfxZr1−xO2/TiNキャパシタの分極疲労の抑制. 第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
  4. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 高橋 誠, 伊藤 和博, 女屋 崇, 色川 芳宏, 小出 康夫, 塚越 一仁. GaN(0001)基板上でのアモルファスGa2O3膜の熱処理による高配向結晶成長. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
2022
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Koji Kita, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Takashi Matsukawa. Ferroelectric HfxZr1−xO2-based capacitors with controlled-oxidation surface of TiN bottom-electrode. MNC 2022, 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2022
  2. SAWADA, Tomomi, NABATAME, Toshihide, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, ONAYA, Takashi, IROKAWA, Yoshihiro, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Structural change of Ga2O3 film on GaN(0001) substrate by atomic layer deposition and post-deposition annealing. MNC2022, 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2022
  3. NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, ONAYA, Takashi, IROKAWA, Yoshihiro, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Growth of Ga2O3 films on Si and GaN substrates by atomic layer deposition and post-deposition annealing. Visual-JW 2022 & DEJI2MA-2. 2022
  4. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, J. Kim, C.-Y. Nam, E. H. R. Tsai, 喜多 浩之, 右田 真司, 太田 裕之, 森田 行則. 異なる酸化剤を用いた原子層堆積法により作製した 強誘電体HfxZr1−xO2/TiNの構造評価. 2022年　第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  5. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, 太田 裕之, 森田 行則. 強誘電性の向上へ向けたTiN/HfxZr1−xO2界面のTiOxNy層の重要性. 第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2022
2021
  1. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塚越 一仁. Importance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO2 Layer of MIM Capacitors with Al2O3/ZrO2 and ZrO2/Al2O3 Stack Structures. 240th ECS Meeting / https://www.electrochem.org/240/. 2021
  2. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 井上 万里, 澤田 朋実, 太田 裕之, 森田 行則. TiN/HfxZr1−xO2/Si-MFS作製におけるSiO2界面層成長の抑制. 第82回応用物理学会秋季学術講演会 / https://meeting.jsap.or.jp/. 2021
  3. 生田目 俊秀, 井上 万里, 前田 瑛里香, 女屋 崇, 廣瀨 雅史, 小林 陸, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塚越 一仁. Study of SiO2 growth mechanism between a single SiO2 and (HfO2)/(SiO2) nanolaminate formation by ALD using TDMAS and H2O gas. 21st International Conference on Atomic Layer Deposition. 2021
  4. 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志. Effect of Ti Scavenging Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated by Atomic Layer Deposition Using Hf/Zr Cocktail Precursor. AVS 21st International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2021) / https://ald2021.avs.org/. 2021
  5. 女屋 崇, 生田目 俊秀, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. 放射光X線による低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の直方晶相同定の検討. 第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
  6. 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志. Control of ferroelectric phase formation in HfxZr1−xO2 thin films using nano-ZrO2 nucleation layer technique. MANA International Symposium 2021/https://www.nims.go.jp/mana/2021/index.html. 2021
  7. 女屋 崇, 生田目 俊秀, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. Study on Ferroelectric Switching Properties and Fatigue Mechanism of Low-Temperature Fabricated HfxZr1−xO2 Thin Films using Pulse Measurement. 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ (EDIT26). 2021
2020
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, INOUE, Mari, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. Possibility of Above 20-nm-Thick HfxZr1−xO2/ZrO2 and HfxZr1−xO2/HfO2 Bilayers for High Polarization and Breakdown Voltage. 51th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2020
  2. KOBAYASHI, Riku, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Influence of Adsorbed O2 on The Gate-Bias Stress Stability of Back-Gate-Type TFT with Carbon-Doped In2O3 Channel. 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference/https://mnc2020.award-con.com/LOGIN.php. 2020
  3. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, INOUE, Mari, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S. Kim, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. Improvement of Ferroelectricity and Fatigue Property of Thicker HfxZr1−xO2/ZrO2 Bi-layer. Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2020 (PRiME 2020). 2020
  4. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 井上 万里, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S. Kim, 澤本 直美, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. HfxZr1−xO2/ZrO2積層構造による強誘電体厚膜の強誘電性の向上. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  5. 小林 陸, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. Air及びN2雰囲気のバイアスストレスによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTのトランジスタ特性. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  6. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, R. M. Wallace, J. Kim, 小椋 厚志. Ferroelectricity of Ferroelectric HfxZr1−xO2/Antiferroelectric ZrO2 Stack Structure Fabricated by Atomic Layer Deposition. 20th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2020
  7. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, R. M. Wallace, J. Kim, 小椋 厚志. Ferroelectricity of 300°C Low Temperature Fabricated HfxZr1−xO2 Thin Films by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition using Hf/Zr Cocktail Precursor. 20th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2020
  8. 女屋 崇, 生田目 俊秀, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, 澤本 直美, 長田 貴弘, R. M. Wallace, J. Kim, 小椋 厚志. プラズマ原子層堆積法で300 °C低温形成した強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の疲労特性. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  9. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. NBS及びPBSによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTの信頼性特性. 2020年第67回応用物理春季学術講演会. 2020
  10. KOBAYASHI, Riku, NABATAME, Toshihide, 栗島 一徳, ONAYA, Takashi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Comparison of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD. MANA INTERNATIONAL SYMPOSIUM 2020/https://www.nims.go.jp/mana/2020/. 2020
  11. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜を チャネルとした酸化物TFTの比較. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第25回）. 2020
2019
  1. ONAYA, Takashi, Y. C. Jung, NABATAME, Toshihide, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, N. Sawamoto, R. M. Wallace, NAGATA, Takahiro, J. Kim, 小椋 厚志. Reliability of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using 300°C Low Temperature Process with Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition. 50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2019
  2. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, N. Sawamoto, H. S. Kim, R. M. Wallace, J. Kim, A. Khosravi, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Comparison of Reliability of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated by Several Processes with Plasma-Enhanced and Thermal Atomic Layer Deposition. The 19th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium. 2019
  3. ONAYA, Takashi, 澤本 直美, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated using plasma-enhanced atomic layer deposition and low temperature annealing process. 21th Conference of “Insulating Films on Semiconductors”. 2019
  4. 栗島 一徳, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. IEEE EDTM 2019. 2019
  5. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本 直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋 厚志. 300 °C低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  6. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 木津 たきお, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. 低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
2018
  1. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. Improvement of Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films by New ZrO2 Nucleation Technique. 49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2018
  2. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. ゲートバイアスストレスにおけるAl2O3パッシベーション層を用いたAl2O3/In-SI-O-C薄膜トランジスタの信頼性. AiMES 2018. 2018
  3. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, 澤本直美, 栗島一徳, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋厚志. Ferroelectricity of HfxZr1－xO2 thin films fabricated using TiN stressor layer and ZrO2 nucleation layer. AiMES 2018. 2018
  4. 生田目 俊秀, 女屋 崇, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 小椋厚志. ZrO2シード層による強誘電体HfxZr1−xO2薄膜形成. 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  5. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. ナノZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の作製技術. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  6. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. Impact of Top-ZrO2 Nucleation Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films for Ferroelectric Field Effect Transistor Application. SSDM2018. 2018
  7. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. Effect of ZrO2 capping-layer on ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films by ALD using Hf/Zr cocktail precursor. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  8. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 上下ZrO2核生成層によるHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の改善. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  9. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の向上. 第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイ. 2018
  10. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスターに対する信頼性へのAl2O3/In0.76Si0.24O0.99C0.01界面の影響. PCSI-45. 2018
2017
  1. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films using double nanocrystal ZrO2 layers. 2017 IWDTF. 2017
  2. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果. シリコン材料・デバイス研究会-プロセス科学と新プロセス技術-. 2017
  3. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ナノ結晶ZrO2シード層を用いた厚膜HfxZr1-xO2の強誘電性. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  4. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. High-k/In1-xSixO1-yCyチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響. 2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  5. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. Effect of ZrO2-seed-layer on ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin film for memory applications. XXVI International Materials Research Congress. 2017
  6. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープIn-Si-O薄膜トランジスタの負バイアス不安定性. ULSIC vs TFT 2017. 2017
  7. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ALD-ZrO2シード層によるHfxZr1-xO2膜の強誘電性の改良. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  8. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. High-kシード層がHfZrO2膜の強誘電性へ及ぼす影響. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 材料・プロセス・デバイス特性. 2017
2016
  1. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. Role of Interlayer in ZrO2/high-k/ZrO2 Insulating Multilayer on Electrical Properties for DRAM Capacitor. PRiME 2016 (2016年電気化学会(ECSJ)秋季大会). 2016
  2. 生田目 俊秀, 伊藤　和博, 高橋　誠, 弓削　雅津也, 女屋 崇, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石　知司, 小椋　厚志, 知京 豊裕. Al2O3/ZrO2/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける電子トラップのメカニズム. 日本金属学会2016年秋期大会. 2016
  3. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/high-k/ZrO2多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  4. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 澤本直美, 知京 豊裕, 小椋厚志. Improvement of leakage current properties of ZrO2/(Ta/Nb)Ox-Al2O3/ZrO2 nano-laminate insulating stacks for DRAM capacitor. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016
  5. 生田目 俊秀, 女屋 崇, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 栗島 一徳, 小椋厚志, 知京 豊裕. Comparison of tapping mechanism of ZrO2 and (Ta/Nb)x charge trapping layers for charge trap capacitor with high-k multilayers. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016
  6. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果. シリコン材料・デバイス研究会. 2016
  7. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. TiO2/Al2O3/TiO2キャパシタにおけるPE-ALD RuO2とTiN電極の耐圧特性の比較. 日本金属学会 2016年春期（第158回）講演大会. 2016
  8. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおける リーク電流特性の改善. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  9. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3及びZrO2膜厚がリーク電流特性へ及ぼす影響. 電子デバイス界面テクノロジー研究会−材料・プロセス・デバイス特性. 2016

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