.jpg)
研究内容
- Keywords
Defects, Interface, Polarity, and Charge Compensation
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- H. Okabe, M. Hiraishi, A. Koda, S. Takeshita, K. M. Kojima, I. Yamauchi, T. Ohsawa, N. Ohashi, H. Sato, R. Kadono. Local electronic structure of dilute hydrogen in β−MnO2. Physical Review B. 103 [15] (2021) 155121 10.1103/physrevb.103.155121
- Naoki Ohashi, Yoshitaka Matsushita, Noriko Saito. Experimental and theoretical investigation of crystal structure of formamidinium–copper–iodide single crystals grown from aqueous solution. Journal of Solid State Chemistry. 306 (2022) 122778 10.1016/j.jssc.2021.122778
- Naoki Ohashi, David Mora-Fonz, Shigeki Otani, Takeshi Ohgaki, Masashi Miyakawa, Alexander Shluger. Inverse Perovskite Oxysilicides and Oxygermanides as Candidates for Nontoxic Infrared Semiconductor and Their Chemical Bonding Nature. Inorganic Chemistry. 59 [24] (2020) 18305-18313 10.1021/acs.inorgchem.0c02897
書籍
- 大橋 直樹, 羽田 肇. 総論─電子状態とセラミック半導体機能. セラミックス機能化ハンドブック. , 2011, 133-143.
- 大橋 直樹. 第1章 総論:バンド理論とバンドギャップ. CMC出版 バンドギャップエンジニアリング. , 2011, 1-8.
- 大橋 直樹. 第3章3・3 ドーピングと欠陥. 透明導電膜の技術 改訂３版. , 2014, 66-80.
会議録
- 大橋直樹. 液相エピタキシー法による結晶育成 －酸化亜鉛固溶体への応用－. 第44回応用物理学会スクールテキスト. (2009) 79-89
- Minako Hashiguchi, Isao Sakaguchi, Reona Miyazaki, Kazunori Takada, Naoki Ohashi. Cobalt doping as the controlling factor of oxygen diffusivity in ZnO by more than four orders of magnitude. DEFECT AND DIFFUSION FORUM. (2015) 85-90 10.4028/www.scientific.net/ddf.363.85
- Isao Sakaguchi, Ken Watanabe, Yutaka Adachi, Takeshi Ohgaki, Shunichi Hishita, Naoki Ohashi, Hajime Haneda. Oxygen tracer diffusion in a-axis oriented ZnO thin films grown on sapphire by pulsed laser deposition. KEY ENGINEERING MATERIALS. (2013) 266-270 10.4028/www.scientific.net/kem.566.266
口頭発表
- 大橋 直樹, David Mora–Fonz, 大谷 茂樹, 和田 芳樹, 大垣 武, 宮川 仁, Alexander Shluger. Synthesis and characterization of oxysilicides and oxygermanides in search for semiconductors with direct-transition-type band gaps in near infrared region. Materials Research Meeting 2021 (MRM2021). 2021
- 古谷 拓海, 大沢 祐太, 瀬川 浩代, 清水 荘雄, 宮川 仁, 西村 聡之, 大橋 直樹. Synthesis of the LaTiO2N bulk ceramic and the dielectric properties. Materials Research Meeting 2021 (MRM2021). 2021
- 大橋 直樹, David Mora–Fonz, 大谷 茂樹, 和田 芳樹, 大垣 武, 宮川 仁, Alexander Shluger. Oxysiliside semiconductors, a candidate for non-toxic semiconductor for infrared optoelectronic applications. AMF-AMEC 2021. 2021
その他の文献
- OHSAWA, Takeo, TSUNODA, Kei, DIERRE, Benjamin, GRACHEVSergey, MONTIGAUDHerve, ISHIGAKI, Takamasa, OHASHI, Naoki. Growth-parameter dependence of polarity and electronic transports in ZnO t hin films deposited by magnetron sputtering. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 215 [16] (2018)
- 大澤 健男, 上田 茂典, 鈴木基寛, 大橋 直樹. 直線偏光制御を用いた硬X 線光電子分光による極性GaN 結晶の電子状態研究. SPring-8/SACLA利用者情報. 22 [3] (2017) 227-232
- 大橋 直樹. 酸化物のさらなる展開に向けて. 応用物理学会 応用電子物性分科会誌. 22 [3] (2016) i-i
特許
- 特許第4441605号 半導体基板とその製造方法 (2010)
- 特許第4210748号 酸化亜鉛基積層構造体 (2008)
- 特許第3660980号 酸化亜鉛基薄膜材料の製造法 (2005)
- 特開2008053589号 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2008)
- 特開2005072067号 酸化亜鉛基積層構造体 (2005)
- 特開2005067988号 ウルツ鉱型ＩＩＩ－Ｖ族窒化物薄膜結晶の製造法 (2005)
受賞履歴
- 日本セラミックス協会学術写真賞 (2012); 日本セラミックス協会賞 優秀論文賞 (2012); 日本セラミックス協会賞[学術賞] (2011); Richard M. Fulrath Award, the American Ceramics Society (2009); 日本セラミックス協会賞[進歩賞] (1999); 日本セラミックス協会賞 優秀論文賞 (1998) ()