- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
表面構造、ナノ構造、伝導特性
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Akihiro Ohtake, Xu Yang, Jun Nara. Structure and morphology of 2H-MoTe2 monolayer on GaAs(111)B grown by molecular-beam epitaxy. npj 2D Materials and Applications. 6 [1] (2022) 10.1038/s41699-022-00310-y
- Yoshiyuki Yamashita, Jun Nara, Efi Dwi Indari, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno, Ryu Hasunuma. Experimental and theoretical studies on atomic structures of the interface states at SiO<sub>2</sub>/4H-SiC(0001) interface. Journal of Applied Physics. 131 [21] (2022) 215303 10.1063/5.0093267
- Keisuke Sagisaka, Jun Nara, Jill K. Wenderott, Ryo Kadowaki, Akane Maruta, Tadashi Abukawa, Daisuke Fujita. Strong suppression of graphene growth by sulfur superstructure on a nickel substrate. Physical Review Materials. 6 [3] (2022) 10.1103/physrevmaterials.6.034007
会議録
- TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato. A first principles study on the C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double bond saturation. Proceedings of Solid State Device Material. 2017, 1077-1078
- Takahiro Yamasaki, Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Nobutaka Nishikawa, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. 4H-SiC Surface Structures and Oxidation Mechanism Revealed by Using First-Principles and Classical Molecular Dynamics Simulations. MATERIALS SCIENCE FORUM. 2016, 429-432
- TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. A first principles study on CVD graphene growth on copper surface: C-C bonding reactions at graphene edges. EXTENDED ABSTRACT OF SOLID STATE DEVICE MATERIALS. 2014, 346-347
口頭発表
- 濱田 智之, 大野 隆央, 奈良 純. 遠赤外・テラヘルツ域におけるグラフェンの室温吸光度の理論計算. 第６９回応用物理学会春季学術講演会/https://meeting.jsap.or.jp/. 2022
- 濱田 智之, 大野 隆央, 奈良 純. First principles Study on Absorbance of Triple Layer Graphene in a Far-infrared or Tera-Hz Frequency Region. The 9th International Symposium on Surface Scieence (ISSS). 2021
- 濱田 智之, 大野 隆央, 奈良 純. 遠赤外・テラヘルツ域での3層グラフェン吸光度の第一原理計算. 第82回応用物理学会秋季学術講演会 . 2021
特許
- 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
- 特許第6667809号 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)
- 特許第7005847号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2022)
- 特開201030968号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)
- 特開2017216305号 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2017)
- 特開2020047665号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)