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NAGATA, Takahiro

NAGATA, Takahiro (長田 貴弘) 0000-0002-8591-2943

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305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]

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Research papers TSV

2024
  1. Asahiko Matsuda, Takashi Teramoto, Takahiro Nagata, Dominic Gerlach, Peng Shen, Shigenori Ueda, Takako Kimura, Christian Dussarrat, Toyohiro Chikyow. NF3 and F2 gas fluorination of GaN surface and Pt/GaN interface analyzed by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Applied Surface Science. 659 (2024) 159941 10.1016/j.apsusc.2024.159941
  2. Yuhua Tsai, Yusuke Hashimoto, ZeXu Sun, Takuya Moriki, Takashi Tadamura, Takahiro Nagata, Piero Mazzolini, Antonella Parisini, Matteo Bosi, Luca Seravalli, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki Yamashita. Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001). Nano Letters. 24 [13] (2024) 3978-3985 10.1021/acs.nanolett.4c00482
2023
  1. 長田 貴弘. 実験現場から見たデータ駆動型無機薄膜材料開発とハイスループット材料合成. Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan. 30 [427] (2023) 297-303
  2. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 安田 剛, 桑島 功, 劉 雨彬, 中島 嘉之. 有機半導体材料における光電子収量分光（PYS）データベース構築. Journal of Surface Analysis. 29 [3] (2023) 146-154 10.1384/jsa.29.146 Open Access
  3. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘. べき乗則で解釈されるスペクトルの閾値及びべき乗数の自動解析方法. Journal of Surface Analysis. 30 [2] (2023) 98-112 10.1384/jsa.30.98 Open Access
  4. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H.R. Tsai, Koji Kita. Effects of oxidant gas for atomic layer deposition on crystal structure and fatigue of ferroelectric HfxZr1−xO2 thin films. Solid-State Electronics. 210 (2023) 108801 10.1016/j.sse.2023.108801
  5. Van Dung Nguyen, Takahiro Nagata, K.-S. Chang. High-throughput methodology for the realization of high-entropy sub-nm equivalent-oxide-thickness high-dielectric-constant Ba(Ti,Zr,Ta,Hf,Mo)O3 film-based metal-oxide-semiconductor-related devices. Materials Today Physics. 37 (2023) 101202 10.1016/j.mtphys.2023.101202
  6. Mohamed Barakat Zakaria Hegazy, Alexei A. Belik, Takahiro Nagata, Ahmed Khalil, Toyohiro Chikyow. The non-innocent role of cobalt in manipulating the magnetic and electric properties of mesoporous silica thin films. Microporous and Mesoporous Materials. 359 (2023) 112661 10.1016/j.micromeso.2023.112661
  7. Akito Fukui, Keigo Matsuyama, Hiroaki Onoe, Shun Itai, Hidekazu Ikeno, Shunsuke Hiraoka, Kousei Hiura, Yuh Hijikata, Jenny Pirillo, Takahiro Nagata, Kuniharu Takei, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya. Unusual Selective Monitoring of N,N-Dimethylformamide in a Two-Dimensional Material Field-Effect Transistor. ACS Nano. 17 [15] (2023) 14981-14989 10.1021/acsnano.3c03915
  8. Ibrahima Gueye, Yasuhiro Shirai, Takahiro Nagata, Takashi Tsuchiya, Dhruba B. Khadka, Masatoshi Yanagida, Okkyun Seo, Kenjiro Miyano, Osami Sakata. Analysis of Iodide Transport on Methyl Ammonium Lead Iodide Perovskite Solar Cell Structure Through Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. Chemistry of Materials. 35 [5] (2023) 1948-1960 10.1021/acs.chemmater.2c03162 Open Access
2022
  1. Akihiro Yamashita, Takahiro Nagata, Shinjiro Yagyu, Toru Asahi, Toyohiro Chikyow. Direct feature extraction from two-dimensional X-ray diffraction images of semiconductor thin films for fabrication analysis. Science and Technology of Advanced Materials: Methods. 2 [1] (2022) 23-37 10.1080/27660400.2022.2029222
  2. N. Takamure, X. Sun, T. Nagata, A. Ho-Baillie, N. Fukata, D. R. McKenzie. Thermodynamic Interpretation of the Meyer-Neldel Rule Explains Temperature Dependence of Ion Diffusion in Silicate Glass. Physical Review Letters. 129 [17] (2022) 175901 10.1103/physrevlett.129.175901
  3. Jingmin Tang, Soichiro Takeuchi, Masaki Tanaka, Hiroto Tomita, Yusuke Hashimoto, Takahiro Nagata, Jun Chen, Takuo Ohkochi, Yoshinori Kotani, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki Yamashita. Direct Observation of Atomic Structures and Chemical States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped GaN. ACS Applied Electronic Materials. 4 [9] (2022) 4719-4723 10.1021/acsaelm.2c00912
  4. Ibrahima Gueye, Riku Kobayashi, Shigenori Ueda, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata. Operando hard X-ray photoelectron spectroscopy study of buried interface chemistry of Au/InO1.16C0.04/Al2O3/p+-Si stacks. Applied Surface Science. 593 (2022) 153272 10.1016/j.apsusc.2022.153272
  5. Takahiro Nagata, Yuya Suemoto, Yoshihiro Ueoka, Masami Mesuda, Liwen Sang, Toyohiro Chikyow. Polarity Control of an All-Sputtered Epitaxial GaN/AlN/Al Film on a Si(111) Substrate by Intermediate Oxidization. ACS Omega. 7 [23] (2022) 19380-19387 10.1021/acsomega.2c00957 Open Access
  6. Takahiro Nagata, Somu Kumaragurubaran, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Toyohiro Chikyow. (Invited) Combinatorial Synthesis and Interface Analysis for Development of High Dielectric Constant Thin Films. ECS Transactions. 108 [2] (2022) 61-68 10.1149/10802.0061ecst
  7. Masaya Morita, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Shigenori Ueda, Jun Chen, Kota Tatejima, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata. Effect of reactive gas condition on nonpolar AlN film growth on MnS/Si (100) by reactive DC sputtering. Japanese Journal of Applied Physics. 61 [SC] (2022) SC1071 10.35848/1347-4065/ac4ad7
  8. Alexandra Papadogianni, Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen. The electrical conductivity of cubic (In1−x Ga x )2O3 films (x ≤ 0.18): native bulk point defects, Sn-doping, and the surface electron accumulation layer. Japanese Journal of Applied Physics. 61 [4] (2022) 045502 10.35848/1347-4065/ac4ec7 Open Access
  9. Alexandra Papadogianni, Charlotte Wouters, Robert Schewski, Johannes Feldl, Jonas Lähnemann, Takahiro Nagata, Elias Kluth, Martin Feneberg, Rüdiger Goldhahn, Manfred Ramsteiner, Martin Albrecht, Oliver Bierwagen. Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In1−xGax)2O3 films ( x≤0.18 ): Structural properties and consequences of compositional inhomogeneity. Physical Review Materials. 6 [3] (2022) 033604 10.1103/physrevmaterials.6.033604
2021
  1. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 知京 豊裕. 多評価自動計測のためのマテリアルシーケンサー開発. Journal of Surface Analysis. (2021) 35-45 10.1384/jsa.28.35 Open Access
  2. Johannes Feldl, Martin Feneberg, Alexandra Papadogianni, Jonas Lähnemann, Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Rüdiger Goldhahn, Manfred Ramsteiner. Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga)2O3 alloy films. Applied Physics Letters. 119 [4] (2021) 042101 10.1063/5.0056532
  3. Minh-Quyet Ha, Duong-Nguyen Nguyen, Viet-Cuong Nguyen, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Hiori Kino, Takashi Miyake, Thierry Denœux, Van-Nam Huynh, Hieu-Chi Dam. Evidence-based recommender system for high-entropy alloys. Nature Computational Science. 1 [7] (2021) 470-478 10.1038/s43588-021-00097-w Open Access
  4. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [SC] (2021) SCCM01 10.35848/1347-4065/abe685
  5. Akihiro Yamashita, Takahiro Nagata, Shinjiro Yagyu, Toru Asahi, Toyohiro Chikyow. Accelerating two-dimensional X-ray diffraction measurement and analysis with density-based clustering for thin films. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [SC] (2021) SCCG04 10.35848/1347-4065/abf2d8
  6. Takahiro Nagata, Yuya Suemoto, Yoshihiro Ueoka, Masami Mesuda, Liwen Sang, Toyohiro Chikyow. Effects of low temperature buffer layer on all-sputtered epitaxial GaN/AlN film on Si (111) substrate. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [SC] (2021) SCCG03 10.35848/1347-4065/abf07f
  7. Masaya Morita, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata. Effects of Zn x Mn1−x S buffer layer on nonpolar AlN growth on Si (100) substrate. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [SC] (2021) SCCG02 10.35848/1347-4065/abf07a
  8. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura. Correlation between ferroelectricity and ferroelectric orthorhombic phase of HfxZr1−xO2 thin films using synchrotron x-ray analysis. APL Materials. 9 [3] (2021) 031111 10.1063/5.0035848 Open Access
  9. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Comparison of characteristics of thin-film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O3. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [3] (2021) 030903 10.35848/1347-4065/abde54
  10. Shinjiro Yagyu, Tadashi Mitsui, Toyohiro Chikyow, Takahiro Nagata. Kerr effect microscope combined with a pulse magnet to observe high-entropy alloys fabricated using combinatorial technology. Science and Technology of Advanced Materials: Methods. 1 [1] (2021) 192-199 10.1080/27660400.2021.1983883 Open Access
2020
  1. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 知京 豊裕, 長田 貴弘. 機械学習による光電子収量分光（PYS）スペクトルの自動閾値予測. 表面と真空. 63 [6] (2020) 270-276 10.1380/vss.63.270 Open Access
  2. Thi Xuyen Nguyen, Yen-Hsun Su, Jason Hattrick-Simpers, Howie Joress, Takahiro Nagata, Kao-Shuo Chang, Suchismita Sarker, Apurva Mehta, Jyh-Ming Ting. Exploring the First High-Entropy Thin Film Libraries: Composition Spread-Controlled Crystalline Structure. ACS Combinatorial Science. 22 [12] (2020) 858-866 10.1021/acscombsci.0c00159
  3. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity and breakdown voltage of over 20-nm-thick HfxZr1−xO2/ZrO2 bilayer by atomic layer deposition. Applied Physics Letters. 117 [23] (2020) 232902 10.1063/5.0029709
  4. Melanie Budde, Piero Mazzolini, Johannes Feldl, Christian Golz, Takahiro Nagata, Shigenori Ueda, Georg Hoffmann, Fariba Hatami, W. Ted Masselink, Manfred Ramsteiner, Oliver Bierwagen. Plasma-assisted molecular beam epitaxy of SnO(001) films: Metastability, hole transport properties, Seebeck coefficient, and effective hole mass. Physical Review Materials. 4 [12] (2020) 124602 10.1103/physrevmaterials.4.124602
  5. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura. Improvement of Ferroelectricity and Fatigue Property of Thicker HfxZr1−XO2/ZrO2 Bi-layer. ECS Transactions. 98 [3] (2020) 63-70 10.1149/09803.0063ecst
  6. NAGATA, Takahiro. Valence Band Modification of a (GaxIn1–x)2O3 Solid Solution System Fabricated by Combinatorial Synthesis. ACS Combinatorial Science. 22 [9] (2020) 433-439 10.1021/acscombsci.0c00033
  7. Mohamed Barakat Zakaria, Dehua Zheng, Ulf-peter Apfel, Takahiro Nagata, El-Refaie S. Kenawy, Jianjian Lin. Dual-Heteroatom-Doped Reduced Graphene Oxide Sheets Conjoined CoNi-Based Carbide and Sulfide Nanoparticles for Efficient Oxygen Evolution Reaction. ACS Applied Materials & Interfaces. 12 [36] (2020) 40186-40193 10.1021/acsami.0c06141
  8. Kazunori Kurishima, Kota Tatejima, Yoshiyuki Yamashita, Shigenori Ueda, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Setsu Suzuki, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow, Takahiro Nagata. Band alignment at non-polar AlN/MnS interface investigated by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [SI] (2020) SIIG07 10.35848/1347-4065/ab769c
  9. Yudai Yasuhara, Kazunori Kurishima, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata. Temperature and polarity dependence of electrical properties of ZnO film on pyroelectric LiNbO3 single crystal. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [SI] (2020) SIIG11 10.35848/1347-4065/ab83df
  10. Takahiro Nagata, Tomohiro Yamaguchi, Shigenori Ueda, Wei Yi, Jun Chen, Takuya Kobayashi, Hirokazu Yokoo, Tohru Honda, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow. Photoelectron spectroscopic study on electronic state of corundum In2O3 epitaxial thin film grown by mist-CVD. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [SI] (2020) SIIG12 10.35848/1347-4065/ab84b2
  11. Takahiro Nagata. (Invited) Development of New High-Dielectric Constant Thin Films By Combinatorial Synthesis. ECS Transactions. 97 [1] (2020) 61-66 10.1149/09701.0061ecst
2019
  1. OGIWARA, Toshiya, NAGATA, Takahiro, YOSHIKAWA, Hideki. English Translation of J. Surf. Anal. 24, 192-205(2018), Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam. Journal of Surface Analysis. [3] (2019) 209-220 10.1384/jsa
  2. Yoshiyuki Yamashita, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Spectroscopic Observation of the Interface States at the SiO2/4H-SiC(0001) Interface. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 17 [0] (2019) 56-60 10.1380/ejssnt.2019.56 Open Access
  3. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 知京 豊裕, 長田 貴弘. 機械学習を用いた光電子収量分光（PYS）の閾値予測の測定データを用いた検証. 表面と真空. 62 [8] (2019) 504-510 10.1380/vss.62.504 Open Access
  4. Mohamed Barakat Zakaria, Victor Malgras, Takahiro Nagata, Jeonghun Kim, Yoshio Bando, Amanullah Fatehmulla, Abdullah M. Aldhafiri, W. Aslam Farooq, Yohei Jikihara, Tsuruo Nakayama, Yusuke Yamauchi, Jianjian Lin. Gold nanoparticles anchored on mesoporous zirconia thin films for efficient catalytic oxidation of carbon monoxide at low temperatures. Microporous and Mesoporous Materials. 288 (2019) 109530 10.1016/j.micromeso.2019.05.055
  5. Mohamed Barakat Zakaria, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow. Mesostructured HfO2/Al2O3 Composite Thin Films with Reduced Leakage Current for Ion-Conducting Devices. ACS Omega. 4 [12] (2019) 14680-14687 10.1021/acsomega.9b01095 Open Access
  6. Mohamed B. Zakaria, Alexei A. Belik, Takahiro Nagata, Toshiaki Takei, Satoshi Tominaka, Toyohiro Chikyow. Molecular magnetic thin films made from Ni-Co Prussian blue analogue anchored on silicon wafers. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 486 (2019) 165276 10.1016/j.jmmm.2019.165276
  7. Mohamed B. Zakaria, Alexei A. Belik, Takahiro Nagata, Toshiaki Takei, Satoshi Tominaka, Toyohiro Chikyow. Molecular magnetic thin films made from Ni-Co Prussian blue analogue anchored on silicon wafers. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 486 (2019) 165276
  8. Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Zbigniew Galazka, Shigenori Ueda, Masataka Imura, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow. Photoelectron spectroscopic study on electronic state and electrical properties of SnO2 single crystals. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [8] (2019) 080903 10.7567/1347-4065/ab2c1e
  9. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O3. ECS Transactions. 92 [3] (2019) 3-13 10.1149/09203.0003ecst
  10. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated by 300 °C low temperature process with plasma-enhanced atomic layer deposition. Microelectronic Engineering. 215 (2019) 111013 10.1016/j.mee.2019.111013 Open Access
  11. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films using top- and bottom-ZrO2 nucleation layers. APL Materials. 7 [6] (2019) 061107 10.1063/1.5096626 Open Access
  12. Kota Tatejima, Takahiro Nagata, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Setsu Suzuki, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Effects of substrate self-bias and nitrogen flow rate on non-polar AlN film growth by reactive sputtering. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [SD] (2019) SDDG07 10.7567/1347-4065/ab088f
  13. Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Zbigniew Galazka, Masataka Imura, Shigenori Ueda, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow. Photoelectron spectroscopic study of electronic states and surface structure of an in situ cleaved In2O3 (111) single crystal. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [SD] (2019) SDDG06 10.7567/1347-4065/ab0ff0
  14. Kota Tatejima, Takahiro Nagata, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Setsu Suzuki, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Crystal growth of a MnS buffer layer for non-polar AlN on Si (100) deposited by radio frequency magnetron sputtering. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [SB] (2019) SBBK03 10.7567/1347-4065/aafd8e
  15. Efi Dwi Indari, Yoshiyuki Yamashita, Ryu Hasunuma, Takahiro Nagata, Shigenori Ueda, Kikuo Yamabe. Relationship between band-offset, gate leakage current, and interface states density at SiO2/4H-SiC (000-1) interface. AIP Advances. 9 [4] (2019) 045002 10.1063/1.5088541 Open Access
2018
  1. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Kazunori Kurishima, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated Using TiN Stressor and ZrO2 Nucleation Techniques. ECS Transactions. 86 [6] (2018) 31-38 10.1149/08606.0031ecst
  2. Takahiro Nagata, Yoshihisa Suzuki, Yoshiyuki Yamashita, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Study of Sn and Mg doping effects on TiO2/Ge stack structure by combinatorial synthesis. Japanese Journal of Applied Physics. 57 [4S] (2018) 04FJ04 10.7567/jjap.57.04fj04
  3. Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Hiroyuki Takeda, Takahiro Nagata, Ryan G. Banal, Hideki Yoshikawa, AnLi Yang, Yoshiyuki Yamashita, Keisuke Kobayashi, Yasuo Koide, Tomohiro Yamaguchi, Masamitsu Kaneko, Nao Uematsu, Ke Wang, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi. Surface and bulk electronic structures of unintentionally and Mg-doped In0.7Ga0.3N epilayer by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Journal of Applied Physics. 123 [9] (2018) 095701 10.1063/1.5016574
  4. 荻原 俊弥, 長田 貴弘, 吉川 英樹. 極低角度入射ビームオージェ深さ方向分析によるHfO2/Si基板の分析. JOURNAL OF SURFACE ANALYSIS. 24 [3] (2018) 192-205 10.1384/jsa.24.192 Open Access
  5. Mohamed Barakat Zakaria, Takahiro Nagata, Asahiko Matsuda, Yudai Yasuhara, Atsushi Ogura, Md. Shahriar A. Hossain, Motasim Billah, Yusuke Yamauchi, Toyohiro Chikyow. Chemical Synthesis of Multilayered Nanostructured Perovskite Thin Films with Dielectric Features for Electric Capacitors. ACS Applied Nano Materials. 1 [2] (2018) 915-921 10.1021/acsanm.7b00310
2017
  1. Xiaoyan Liu, Minoru Osada, Kenji Kitamura, Takahiro Nagata, Donghui Si. Ferroelectric-assisted gold nanoparticles array for centimeter-scale highly reproducible SERS substrates. Scientific Reports. 7 [1] (2017) 10.1038/s41598-017-03301-y Open Access
  2. 山下 良之, 蓮沼 隆, 長田 貴弘, 知京 豊祐. オペランド硬X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiC界面の界面準位のエネルギー分布観測. 表面科学. 38 [7] (2017) 347-350 10.1380/jsssj.38.347 Open Access
  3. Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Effect of Y and Mn doping into rutile type TiO2/Ge stack structure by combinatorial synthesis. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [6S1] (2017) 06GF11 10.7567/jjap.56.06gf11
  4. Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Takahiro Nagata, Ryan G. Banal, Hideki Yoshikawa, AnLi Yang, Yoshiyuki Yamashita, Keisuke Kobayashi, Yasuo Koide, Tomohiro Yamaguchi, Masamitsu Kaneko, Nao Uematsu, Ke Wang, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi. Surface and bulk electronic structures of heavily Mg-doped InN epilayer by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Journal of Applied Physics. 121 [9] (2017) 095703 10.1063/1.4977201
  5. Takahiro Nagata, Tatsuru Nakamura, Ryoma Hayakawa, Takeshi Yoshimura, Seungjun Oh, Nobuya Hiroshiba, Toyohiro Chikyow, Norifumi Fujimura, Yutaka Wakayama. Photoelectron spectroscopic study on monolayer pentacene thin-film/polar ZnO single-crystal hybrid interface. Applied Physics Express. 10 [2] (2017) 025702 10.7567/apex.10.025702
  6. Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Zbigniew Galazka, Masataka Imura, Shigenori Ueda, Hideki Yoshikawa, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow. Photoelectron spectroscopic study of electronic state and surface structure of In2O3 single crystals. Applied Physics Express. 10 [1] (2017) 011102 10.7567/apex.10.011102
2016
  1. Y. Yamashita, R. Hasunuma, T. Nagata, T. Chikyow. Characterization of Interface State Density of SiO2/SiC (000-1) Based on Oxygen Concentration at the Interface during Thermal Oxidation. ECS Transactions. 75 [12] (2016) 201-206 10.1149/07512.0207ecst
  2. Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Masataka Imura, Seungjun Oh, Kazuyoshi Kobashi, Toyohiro Chikyow. Bottom-electrode effect on switching behavior and interface reaction in nanoionic-based resistive changing memory. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [8S2] (2016) 08PC03 10.7567/jjap.55.08pc03
  3. Takahiro Nagata, Somu Kumaragurubaran, Yoshifumi Tsunekawa, Yoshiyuki Yamashita, Shigenori Ueda, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Setsu Suzuki, Seungjun Oh, Toyohiro Chikyow. Interface stability of electrode/Bi-containing relaxor ferroelectric oxide for high-temperature operational capacitor. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [6S1] (2016) 06GJ12 10.7567/jjap.55.06gj12
  4. Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Thin-film growth of (110) rutile TiO2on (100) Ge substrate by pulsed laser deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [6S1] (2016) 06GG06 10.7567/jjap.55.06gg06
  5. Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Kenji Kitamura. Screening charge localization at LiNbO3 surface with Schottky junction. Applied Physics Letters. 108 [17] (2016) 171604 10.1063/1.4947578
  6. Kentaro Watanabe, Takahiro Nagata, Seungjun Oh, Yutaka Wakayama, Takashi Sekiguchi, János Volk, Yoshiaki Nakamura. Arbitrary cross-section SEM-cathodoluminescence imaging of growth sectors and local carrier concentrations within micro-sampled semiconductor nanorods. Nature Communications. 7 [1] (2016) 10609 10.1038/ncomms10609 Open Access
  7. Jin Kawakita, Yuki Fujikawa, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow. Interfacial charge transfer behavior of conducting polymers as contact electrode for semiconductor devices. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [4S] (2016) 04EC10 10.7567/jjap.55.04ec10
2015
  1. Somu Kumaragurubaran, Takahiro Nagata, Yoshifumi Tsunekawa, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Setsu Suzuki, Toyohiro Chikyow. Epitaxial growth of high dielectric constant lead-free relaxor ferroelectric for high-temperature operational film capacitor. Thin Solid Films. 592 (2015) 29-33 10.1016/j.tsf.2015.09.012 Open Access
  2. Takahiro Nagata, Kazuyoshi Kobashi, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Chinnamuthu Paulsamy, Yoshihisa Suzuki, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Ge incorporated epitaxy of (110) rutile TiO2 on (100) Ge single crystal at low temperature by pulsed laser deposition. Thin Solid Films. 591 (2015) 105-110 10.1016/j.tsf.2015.08.031
  3. Klára Ševčíková, Václav Nehasil, Mykhailo Vorokhta, Stanislav Haviar, Vladimír Matolín, Iva Matolínová, Karel Mašek, Igor Píš, Keisuke Kobayashi, Masaaki Kobata, Takahiro Nagata, Yoshitaka Matsushita, Hideki Yoshikawa. Altering properties of cerium oxide thin films by Rh doping. Materials Research Bulletin. 67 (2015) 5-13 10.1016/j.materresbull.2015.02.059
  4. Tatsuru Nakamura, Nam Nguyen, Takahiro Nagata, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Keiji Ishibashi, Setsu Suzuki, Toyohiro Chikyow. Heteroepitaxial growth of nonpolar Cu-doped ZnO thin film on MnS-buffered (100) Si substrate. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [6S1] (2015) 06FJ10 10.7567/jjap.54.06fj10
  5. Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Masataka Imura, Seungjun Oh, Kazuyoshi Kobashi, Toyohiro Chikyow. Bias induced Cu ion migration behavior in resistive change memory structure observed by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [6S1] (2015) 06FG01 10.7567/jjap.54.06fg01
  6. Somu Kumaragurubaran, Takahiro Nagata, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Yoshifumi Tsunekawa, Setsu Suzuki, Toyohiro Chikyow. Combinatorial synthesis of BaTiO3–Bi(Mg2/3Nb1/3)O3thin-films for high-temperature capacitors. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [6S1] (2015) 06FJ02 10.7567/jjap.54.06fj02
  7. Somu Kumaragurubaran, Takahiro Nagata, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Yoshifumi Tsunekawa, Setsu Suzuki, Toyohiro Chikyow. BaTiO3 based relaxor ferroelectric epitaxial thin-films for high-temperature operational capacitors. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DH02 10.7567/jjap.54.04dh02
  8. Kentaro Watanabe, Takahiro Nagata, Yutaka Wakayama, Takashi Sekiguchi, Róbert Erdélyi, János Volk. Band-Gap Deformation Potential and Elasticity Limit of Semiconductor Free-Standing Nanorods Characterized in Situ by Scanning Electron Microscope–Cathodoluminescence Nanospectroscopy. ACS Nano. 9 [3] (2015) 2989-3001 10.1021/nn507159u
2014
  1. P. Petrik, E. Agocs, J. Volk, I. Lukacs, B. Fodor, P. Kozma, T. Lohner, S. Oh, Y. Wakayama, T. Nagata, M. Fried. Resolving lateral and vertical structures by ellipsometry using wavelength range scan. Thin Solid Films. 571 (2014) 579-583 10.1016/j.tsf.2014.02.008
  2. I. A. Vladymyrskyi, M. V. Karpets, G. L. Katona, D. L. Beke, S. I. Sidorenko, T. Nagata, T. Nabatame, T. Chikyow, F. Ganss, G. Beddies, M. Albrecht, I. M. Makogon. Influence of the substrate choice on the L10phase formation of post-annealed Pt/Fe and Pt/Ag/Fe thin films. Journal of Applied Physics. 116 [4] (2014) 044310 10.1063/1.4891477
  3. Zs. Baji, Z. Lábadi, Gy. Molnár, B. Pécz, K. Vad, Z.E. Horváth, P.J. Szabó, T. Nagata, J. Volk. Highly conductive epitaxial ZnO layers deposited by atomic layer deposition. Thin Solid Films. 562 (2014) 485-489 10.1016/j.tsf.2014.04.047
  4. Nam T. Nguyen, Sung-Gi Ri, Takahiro Nagata, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Yoshifumi Tsunekawa, Setsu Suzuki, Toyohiro Chikyow. Epitaxial growth of nonpolar ZnO and n-ZnO/i-ZnO/p-GaN heterostructure on Si(001) for ultraviolet light emitting diodes. Applied Physics Express. 7 [6] (2014) 062102 10.7567/apex.7.062102
  5. Takahiro Nagata, Seungjun Oh, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Norihiro Ikeno, Keisuke Kobayashi, Toyohiro Chikyow, Yutaka Wakayama. Photoelectron spectroscopic study on band alignment of poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)/polar-ZnO heterointerface. Thin Solid Films. 554 (2014) 194-198 10.1016/j.tsf.2013.08.018
2013
  1. I. A. Vladymyrskyi, M. V. Karpets, F. Ganss, G. L. Katona, D. L. Beke, S. I. Sidorenko, T. Nagata, T. Nabatame, T. Chikyow, G. Beddies, M. Albrecht, Iu. M. Makogon. Influence of the annealing atmosphere on the structural properties of FePt thin films. Journal of Applied Physics. 114 [16] (2013) 164314 10.1063/1.4827202
  2. M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, H. Takeda, M. Y. Liao, A. L. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Koide, K. Kobayashi, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi. Impact of Mg concentration on energy-band-depth profile of Mg-doped InN epilayers analyzed by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters. 103 [16] (2013) 162110 10.1063/1.4826094
  3. Takahiro Nagata, Masamitsu Haemori, Toyohiro Chikyow. Combinatorial Synthesis of Cu/(TaxNb1–x)2O5 Stack Structure for Nanoionics-Type ReRAM Device. ACS Combinatorial Science. 15 [8] (2013) 435-438 10.1021/co4000425
  4. Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Takahiro Nagata, Hiroyuki Takeda, Meiyong Liao, AnLi Yang, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Yasuo Koide, Keisuke Kobayashi, Tomohiro Yamaguchi, Masamitsu Kaneko, Nao Uematsu, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi. Systematic investigation of surface and bulk electronic structure of undoped In-polar InN epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Journal of Applied Physics. 114 [3] (2013) 033505 10.1063/1.4812570
  5. Kazuyoshi Kobashi, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura, Toshihide Nabatame, Toyohiro Chikyow. Reduction of interfacial SiO2 at HfO2/Si interface with Ta2O5 cap. Journal of Applied Physics. 114 [1] (2013) 014106 10.1063/1.4811691
  6. Katsumasa Kamiya, Moon Young Yang, Takahiro Nagata, Seong-Geon Park, Blanka Magyari-Köpe, Toyohiro Chikyow, Keisaku Yamada, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi, Kenji Shiraishi. Generalized mechanism of the resistance switching in binary-oxide-based resistive random-access memories. Physical Review B. 87 [15] (2013) 155201 10.1103/physrevb.87.155201
  7. Xiaoyan Liu, Kenji Kitamura, Qiuming Yu, Jiajie Xu, Minoru Osada, Nagata Takahiro, Jiangyu Li, Guozhong Cao. Tunable and highly reproducible surface-enhanced Raman scattering substrates made from large-scale nanoparticle arrays based on periodically poled LiNbO3templates. Science and Technology of Advanced Materials. 14 [5] (2013) 055011 10.1088/1468-6996/14/5/055011 Open Access
  8. Seungjun Oh, Takahiro Nagata, János Volk, Yutaka Wakayama. Improving the performance of inorganic-organic hybrid photovoltaic devices by uniform ordering of ZnO nanorods and near-atmospheric pressure nitrogen plasma treatment. Journal of Applied Physics. 113 [8] (2013) 083708 10.1063/1.4793283
  9. T. Nagata, S. Oh, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, N. Ikeno, K. Kobayashi, T. Chikyow, Y. Wakayama. Photoelectron spectroscopic study of band alignment of polymer/ZnO photovoltaic device structure. Applied Physics Letters. 102 [4] (2013) 043302 10.1063/1.4790298
2012
  1. Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Tsuyoshi Uehara, Masamitsu Haemori, Keisuke Kobayashi, Toyohiro Chikyow. Effect of near atmospheric pressure nitrogen plasma treatment on Pt/ZnO interface. Journal of Applied Physics. 112 [11] (2012) 116104 10.1063/1.4768908
  2. T. Nagata, S. Oh, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, R. Hayakawa, K. Kobayashi, T. Chikyow, Y. Wakayama. Hard x-ray photoelectron spectroscopy study on band alignment at poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)/ZnO interface. Applied Physics Letters. 101 [17] (2012) 173303 10.1063/1.4762834
  3. Oliver Bierwagen, Takahiro Nagata, Mark E. White, Min-Ying Tsai, James S. Speck. Electron transport in semiconducting SnO2: Intentional bulk donors and acceptors, the interface, and the surface. Journal of Materials Research. 27 [17] (2012) 2232-2236 10.1557/jmr.2012.172
  4. Seungjun Oh, Takahiro Nagata, János Volk, Yutaka Wakayama. Nanoimprint for Fabrication of Highly Ordered Epitaxial ZnO Nanorods on Transparent Conductive Oxide Films. Applied Physics Express. 5 [9] (2012) 095003 10.1143/apex.5.095003
  5. Masataka Imura, Ryoma Hayakawa, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Takahiro Nagata, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Jun-ichi Yamamoto, Kazuhito Ban, Motoaki Iwaya, Hiroshi Amano. Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure. Diamond and Related Materials. 24 (2012) 206-209 10.1016/j.diamond.2012.01.020
  6. Takahiro Nagata, Masamitsu Haemori, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Keisuke Kobayashi, Toyohiro Chikyow. Observation of filament formation process of Cu/HfO2/Pt ReRAM structure by hard x-ray photoelectron spectroscopy under bias operation. Journal of Materials Research. 27 [6] (2012) 869-878 10.1557/jmr.2011.448
  7. Michiko Yoshitake, Takahiro Nagata, Weijie Song. Electrical properties and stability of an epitaxial alumina film formed on Cu-9 at. % Al(111). Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 30 [2] (2012) 021509 10.1116/1.3688493
2011
  1. T. Nagata, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Iwashita, K. Kobayashi, T. Chikyow. Bias application hard x-ray photoelectron spectroscopy study of forming process of Cu/HfO2/Pt resistive random access memory structure. Applied Physics Letters. 99 [22] (2011) 223517 10.1063/1.3664781
  2. Petr Blumentrit, Michiko Yoshitake, Slavomír Nemšák, Taeyoung Kim, Takahiro Nagata. XPS and UPS study on band alignment at Pt–Zn-terminated ZnO(0001) interface. Applied Surface Science. 258 [2] (2011) 780-785 10.1016/j.apsusc.2011.08.095
  3. NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, KOBAYASHI, Keisuke. Study of Oxygen Migration at Pt/HfO2/Pt Interface by Bias-application Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. SPring-8 Research Frontiers 2010. (2011) 70-71
  4. 山下 良之, 長田 貴弘, 吉川 英樹, 知京 豊祐, 小林 啓介. デバイス動作下硬X線光電子分光法による最先端材料の物性解明. 表面科学. 32 [6] (2011) 320-324 10.1380/jsssj.32.320 Open Access
  5. T. Nagata, O. Bierwagen, M. E. White, M. Y. Tsai, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, N. Ohashi, K. Kobayashi, T. Chikyow, J. S. Speck. XPS study of Sb-/In-doping and surface pinning effects on the Fermi level in SnO2 (101) thin films. Applied Physics Letters. 98 [23] (2011) 232107 10.1063/1.3596449
  6. Róbert Erdélyi, Takahiro Nagata, David J. Rogers, Ferechteh H. Teherani, Zsolt E. Horváth, Zoltán Lábadi, Zsófia Baji, Yutaka Wakayama, János Volk. Investigations into the Impact of the Template Layer on ZnO Nanowire Arrays Made Using Low Temperature Wet Chemical Growth. Crystal Growth & Design. 11 [6] (2011) 2515-2519 10.1021/cg2002755
  7. Oliver Bierwagen, James S. Speck, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Keisuke Kobayashi. Depletion of the In2O3(001) and (111) surface electron accumulation by an oxygen plasma surface treatment. Applied Physics Letters. 98 [17] (2011) 172101 10.1063/1.3583446
  8. Takahiro Nagata, Seungjun Oh, Toyohiro Chikyow, Yutaka Wakayama. Effect of UV–ozone treatment on electrical properties of PEDOT:PSS film. Organic Electronics. 12 [2] (2011) 279-284 10.1016/j.orgel.2010.11.009
  9. 長田 貴弘, 知京 豊裕. コンビナトリアル手法を用いたナノエレクトロニクス材料における合金薄膜材料開発. 金属. 81 [1] (2011) 32-37
2010
  1. Taeyoung Kim, Michiko Yoshitake, Shinjiro Yagyu, Slavomir Nemsak, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow. XPS study on band alignment at PtO-terminated ZnO(0001) interface. Surface and Interface Analysis. 42 [10-11] (2010) 1528-1531 10.1002/sia.3601
  2. T. Nagata, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Iwashita, K. Kobayashi, T. Chikyow. Oxygen migration at Pt/HfO2/Pt interface under bias operation. Applied Physics Letters. 97 [8] (2010) 082902 10.1063/1.3483756
  3. Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto. Photoinduced Phase Transformations in Boron Nitride: New Polytypic Forms of sp3-Bonded (6H- and 30H-) BN. The Journal of Physical Chemistry C. 114 [31] (2010) 13176-13186 10.1021/jp1028728
  4. T. Nagata, J. Volk, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, R. Hayakawa, M. Yoshitake, S. Ueda, K. Kobayashi, T. Chikyow. Schottky barrier height behavior of Pt–Ru alloy contacts on single-crystal n-ZnO. Journal of Applied Physics. 107 [10] (2010) 103714 10.1063/1.3427562
  5. Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Mark E. White, Min-Ying Tsai, James S. Speck. Study of the Au Schottky contact formation on oxygen plasma treated n-type SnO2 (101) thin films. Journal of Applied Physics. 107 [3] (2010) 033707 10.1063/1.3298467
2009
  1. Shojiro Komatsu, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Kazunori Koga, Atsushi Yamamoto, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto, Masaharu Shiratani. P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser–plasma synchronous CVD method. Journal of Physics D: Applied Physics. 42 [22] (2009) 225107 10.1088/0022-3727/42/22/225107
  2. Takahiro Nagata, Gregor Koblmüller, Oliver Bierwagen, Chad S. Gallinat, James S. Speck. Surface structure and chemical states of a-plane and c-plane InN films. Applied Physics Letters. 95 [13] (2009) 132104 10.1063/1.3238286
  3. J. Volk, T. Nagata, R. Erdélyi, I. Bársony, A. L. Tóth, I. E. Lukács, Zs Czigány, H. Tomimoto, Y. Shingaya, T. Chikyow. Highly Uniform Epitaxial ZnO Nanorod Arrays for Nanopiezotronics. Nanoscale Research Letters. 4 [7] (2009) 699 10.1007/s11671-009-9302-1 Open Access
  4. T. Nagata, J. Volk, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, M. Haemori, R. Hayakawa, M. Yoshitake, S. Ueda, K. Kobayashi, T. Chikyow. Interface structure and the chemical states of Pt film on polar-ZnO single crystal. Applied Physics Letters. 94 [22] (2009) 221904 10.1063/1.3149701
  5. Takuma Yo, Hideaki Tanaka, NAGATA, Takahiro, FUKATA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, Akira Sakai, Jun Yanagisawa. Effect of Annealing on Mechanical Properties of Materials Formed by Focused Au or Si Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Using Phenanthrene. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. (2009) 06FB03-1-06FB03-4
  6. Masamitsu Haemori, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow. Impact of Cu Electrode on Switching Behavior in a Cu/HfO2/Pt Structure and Resultant Cu Ion Diffusion. Applied Physics Express. 2 (2009) 061401 10.1143/apex.2.061401
  7. T. Nagata, M. Haemori, T. Chikyow. Capability of focused Ar ion beam sputtering for combinatorial synthesis of metal films. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 27 [3] (2009) 492-495 10.1116/1.3097847
  8. Takahiro Nagata, Masamitsu Haemori, Junichiro Anzai, Tsuyoshi Uehara, Toyohiro Chikyow. Surface Nitridation ofc-Plane Sapphire Substrate by Near-Atmospheric Nitrogen Plasma. Japanese Journal of Applied Physics. 48 [4] (2009) 040206 10.1143/jjap.48.040206
  9. T. Nagata, M. Haemori, Y. Sakuma, T. Chikyow, J. Anzai, T. Uehara. Hydrogen effect on near-atmospheric nitrogen plasma assisted chemical vapor deposition of GaN film growth. Journal of Applied Physics. 105 [6] (2009) 066106 10.1063/1.3086715
2008
  1. Takahiro Nagata, Yoshiki Sakuma, Masamitsu Haemori, Kiyomi Nakajima, Reo Kometani, Kazuhiro Kanda, Shinji Matsui, Toyohiro Chikyow. Effect of Annealing on Implanted Ga of Diamond-Like Carbon Thin Films. Japanese Journal of Applied Physics. 47 [12] (2008) 9010-9012 10.1143/jjap.47.9010
  2. Parhat Ahmet, Takashi Shiozawa, Koji Nagahiro, Takahiro Nagata, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Toyohiro Chikyow, Hiroshi Iwai. Thermal stability of Ni silicide films on heavily doped n+ and p+ Si substrates. Microelectronic Engineering. 85 [7] (2008) 1642-1646 10.1016/j.mee.2008.04.001
  3. T.Yo, H.Tanaka, K.Koreyama, NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, NAKAJIMA, Kiyomi, CHIKYOW, Toyohiro, Jun Yanagisawa, A.Sakai. Characterization of Deposited Materials Formed by FocusedIon Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Using anAuSi Alloyed Metal Source. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. (2008) 5018-5021
  4. J. Volk, A. Håkansson, H. T. Miyazaki, T. Nagata, J. Shimizu, T. Chikyow. Fully engineered homoepitaxial zinc oxide nanopillar array for near-surface　light wave manipulation. Applied Physics Letters. 92 [18] (2008) 183114 10.1063/1.2924282
  5. Seiichiro Yaginuma, Kenji Itaka, Yuji Matsumoto, 大西 剛, Mikk Lippmaa, 長田 貴弘, 知京 豊裕, 鯉沼 秀臣. . Applied Surface Science. 254 [8] (2008) 2336-2341 10.1016/j.apsusc.2007.09.052
2007
  1. Takahiro Nagata, Parhat Ahmet, Toyohiro Chikyow. Crystal Structures of Pt-Ru Alloy Schottky Contacts on ZnO by Conbinatorial Ion Beam Deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 46 [5A] (2007) 2907-2909 10.1143/jjap.46.2907
  2. Takahiro Nagata, Yoshiki Sakuma, Tsuyoshi Uehara, Toyohiro Chikyow. GaN Film Fabrication by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 46 [No. 2] (2007) L43-L45 10.1143/jjap.46.l43
2006
  1. NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, YAMAUCHI, Yasushi, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. Three-Dimensional GaN Nano Structure Fabrication by Focused Ion Beam Chemical Vapor Deposition. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. (2006) 250-252
  2. PARHAT, AHMET, NAGATA, Takahiro, KUKURUZNYAK, Dmitry, YAGYU, Shinjiro, WAKAYAMA, Yutaka, YOSHITAKE, Michiko, CHIKYOW, Toyohiro. Composition spread metal thin film fabrication technique based on ion beam sputter deposition . APPLIED SURFACE SCIENCE. (2006) 2472-2476
  3. NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, YoungZu, Yoo, 山田啓作, 筒井謙, 和田恭雄, CHIKYOW, Toyohiro. Schottky Metal Library for ZnO Based UV Photodiode Fabricated by the Combinatorial Ion Beam Assisted Deposition. APPLIED SURFACE SCIENCE. (2006) 2503-2505
2005
  1. Takahiro Nagata, Young-Zo Yoo, Parhat Ahmet, Toyohiro Chikyow. The effects of single crystalline GaN target on GaN thin films grown by pulsed laser deposition process. Japanese Journal of Applied Physics. 44 [11] (2005) 7896-7900 10.1143/jjap.44.7896
  2. T. Nagata, P. Ahmet, T. Sekiguchi, T. Chikyow. Low temperature growth of GaN micro crystal from position controlled Ga droplets arrayed by low-energy focused ion beam system. Journal of Crystal Growth. 283 [3-4] (2005) 328-331 10.1016/j.jcrysgro.2005.06.010
  3. T. Nagata, P. Ahmet, Y. Sakuma, T. Sekiguchi, T. Chikyow. GaN nanostructure fabrication by focused-ion-beam-assisted chemical vapor deposition . Applied Physics Letters. 87 [1] (2005) 013103 10.1063/1.1968435

Books TSV

2023
  1. 長田 貴弘. 第9節 実証実験でのコンビナトリアル手法の活用とハイスループット材料合成. ケモインフォマティクスにおけるデータ収集の最適化と解析手法. 技術情報協会, 2023, 8.
  2. 長田 貴弘. 自律型ハイスループット薄膜材料探索の基盤となるデータ共有と薄膜材料開発. 実験の自動化・自律化によるR&Dの効率化と運用方法. 技術情報協会, 2023, 6.
2021
  1. 長田 貴弘. スマートラボによる薄膜材料開発とデータ連携. データ駆動型材料開発～オントロジーとマイニング、計測と実験装置の自動制御～. NTS, 2021, 10.
  2. 松波 成行, 長田 貴弘, 吉川 英樹. 第6章第4節：IoTを活用したデータアーキテクチャ： 2D-XRD法による半導体材料開発への応用. 技術情報協会, 2021, 8.
  3. 長田 貴弘, 知京 豊裕. Combinatorial Synthesis Applied to the Development of Thin Film Materials for Nano-electronics. CRC Press, 2021, 20.
2020
  1. NAGATA, Takahiro. Nanoscale Redox Reaction at Metal/Oxide Interface - A Case Study on Schottky Contact and ReRAM. Springer, 2020
2018
  1. NAGATA, Takahiro. Indium oxide: In2O3. ELSEVIER, 2018
2012
  1. 長田 貴弘. UV-オゾンクリーニングのPEDOT/PSS薄膜の電気特性への影響. PEDOTの材料物性とデバイス応用. , 2012, 184-186.

Proceedings TSV

2019
  1. Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). (2019) 10.1109/edtm.2019.8731167
2017
  1. NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, CHIKYOW, Toyohiro. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Resistive random access memory. ECS TRANSACTIONS. (2017) 39-47
2014
  1. NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, K. Kobayashi, CHIKYOW, Toyohiro. Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Nanoionics-Type ReRAM Structure under Bias Operation. ECS TRANSACTIONS. (2014) 301-310 10.1149/06102.0jolecs
2010
  1. NAGATA, Takahiro, HAEMORI, Masamitsu, ANZAI Junichiro, UEHARA Tsuyoshi, CHIKYOW, Toyohiro. Nitride film Growth by Near-Atmospheric Nitrogen Plasma-Assisted Chemical Vapor. TRANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN. (2010) 579-582
2007
  1. NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, ANZAI Jyunichiro, KUNUGI Syunsuke, UEHARA Tsuyoshi, CHIKYOW, Toyohiro. Low Temperature Growth of GaN film by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. TRANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN. (2007) 489-492
2005
  1. NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, YAMAUCHI, Yasushi, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabrication by Focused Ion Beam Assisted Methods. Proceedings of the 10th International Symposium on Advanced Physical Fields. (2005) 123-125
2004
  1. NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, 鯉田崇, 秩父重英, CHIKYOW, Toyohiro. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabricated by Low Energy Focused Ion Beam System.. Mat. Res. Soc. Symp. Proc.. (2004) 39-40

Presentations TSV

2024
  1. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 山下 良之, 塚越 一仁, 喜多 浩之. 強誘電体HfxZr1−xO2/TiNの界面反応に起因する 分極疲労抑制メカニズムに関する考察. 第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2024
2023
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Y. Morita, H. Ota, S. Migita, K. Kita. Improvement of Fatigue Properties of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using Surface Oxidized TiN Bottom-Electrode. 54th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2023
  2. YAGYU, Shinjiro, NAGATA, Takahiro. A spectral preprocessing method using piecewise regression. MRM2023/IUMRS-ICA2023 Grand Meeting. 2023
  3. Tomoe Yayama, Nanami Iba, NAGATA, Takahiro, CHIKYO, Toyohiro. Fluorine termination on dangling bonds of gallium nitride surfaces and defects. The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) . 2023
  4. Tomohiro Yamaguchi, Akito Taguchi, Kohei Shima, NAGATA, Takahiro, Takumi Yamamoto, Yuka Hayakawa, Masaki Matsuda, Toyohiko Konno, Takeyoshi Onuma, Shigefusa Chichibu, Tohru Honda. Structural, electrical and optical properties of α-In2O3 grown by mist chimical vapor deposition on (0001)α-Al2O3 substrate. 7th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2023). 2023
  5. ONAYA, Takashi, NAGATA, Takahiro, NABATAME, Toshihide, YAMASHITA, Yoshiyuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Koji Kita. Origin of Fatigue Properties Induced by Oxygen Vacancies Originating from Ferroelectric-HfxZr1−xO2/TiN Interface Reaction During Field Cycling. 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices. 2023
  6. NAGATA, Takahiro. Polarity Control of GaN and AlN Thin Films by All Sputtering Process. International Workshop on Magnetron Sputter Epitaxy 2023. 2023 Invited
  7. 吉武 道子, 長田 貴弘. マテリアルキュレーション®支援システム：事例研究. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
  8. 柳生 進二郎, 長田 貴弘. セグメント回帰を用いたスペクトル前処理法. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
  9. 柳生 進二郎, 長田 貴弘. PYS(光電子収量)スペクトル解析におけるべき乗数の評価. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
  10. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 知京 豊裕. サンプルマルチ診断のためのマテリアルシーケンサー開発. AIロボット駆動科学シンポジウム2023. 2023
  11. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, J. Kim, C.-Y. Nam, E. H. R. Tsai, K. Kita. Role of interface reaction layer between ferroelectric HfxZr1−xO2 thin film and TiN electrode on endurance properties. INFOS2023 23rd CONFERENCE ON INSULATING FILMS ON SEMICONDUCTORS. 2023
  12. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 安田 剛, 桑島 功, 劉雨彬, 中島嘉之. 光電子収量分光(PYS)スペクトルのデジタルデータベース構築. 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
  13. 柳生 進二郎, 松本 明善, 松波 成行, 西島 元, 伴野 信哉, 石井 秋光, 吉武 道子, 長田 貴弘. べき乗則に従うスペクトルの解析. 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
  14. 女屋 崇, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 塚越 一仁, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之. 分極疲労時の強誘電体HfxZr1−xO2/TiN界面反応に起因した酸素欠損生成の起源. 2023年　第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
  15. NAGATA, Takahiro, 宝賀 剛, YAMASHITA, Akihiro, CHENG, Hao, YAGYU, Shinjiro, 小椋 厚志, CHIKYO, Toyohiro. Electronic state modification of (GaxIn1-x)2O3 solid solution thin film by combinatorial method. The 1st KOSEN International Research Symposium (KRIS2023). 2023 Invited
  16. 成 浩, 宝賀 剛, 上田 茂典, 小椋 厚志, 知京 豊裕, 長田 貴弘. β-Ga2O3 構造の電子状態・欠陥制御における (GaxIn1-x)2O3 固溶体化の効果. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
  17. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 松川 貴. TiN下部電極の表面酸化による強誘電体TiN/HfxZr1−xO2/TiNキャパシタの分極疲労の抑制. 第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
  18. 大門 祐貴, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. TFET用TixZn1-xO1+xチャネル層及びSi界面物性に熱処理が与える影響. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
2022
  1. 成 浩, 宝賀 剛, 上田 茂典, 小椋 厚志, 知京 豊裕, 長田 貴弘. (GaxIn1-x)2O3 固溶体によるβ-Ga2O3 型結晶薄膜の欠陥・電子状態制御の検討. 第59回日本電子材料技術協会秋期講演大会. 2022
  2. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 安田 剛, 桑島 功, 劉雨彬, 中島嘉之. 光電子収量分光(PYS)データベースの構築. 2022年度 実用表面分析講演会 PSA-22 (Symposium on Practical Surface Analysis 2022). 2022
  3. NAGATA, Takahiro, MORITA, Masaya, Okkyun Seo, GUEYE, Ibrahima, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, Atsushi Ogura, CHIKYO, Toyohiro. Study on effects of Zn solid solution on defects and electronic structure of MnS buffer layer for nonpolar AlN growth by hard x-ray photoelectron spectroscopy. 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2022
  4. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Koji Kita, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Takashi Matsukawa. Ferroelectric HfxZr1−xO2-based capacitors with controlled-oxidation surface of TiN bottom-electrode. MNC 2022, 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2022
  5. DAIMON, Yuki, CHIKYO, Toyohiro, 小椋 厚志, NAGATA, Takahiro. Physical property modification of ZnO-based n-type semiconductor channel materials for tunnel FETs. MNC 2022, 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2022
  6. CHENG, Hao, 宝賀 剛, UEDA, Shigenori, 小椋 厚志, CHIKYO, Toyohiro, NAGATA, Takahiro. Modification of Electronic Structure and Defects of β-Ga2O3 Structure by (GaxIn1-x)2O3 solid solution system. 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022). 2022
  7. 長田 貴弘. 自律型ハイスループット合成・評価を通じた電子材料の開発とデータ共有の試み. MNC 2022 技術セミナー「最先端デバイスとデータ駆動型開発の可能性」. 2022 Invited
  8. Yuya Suemoto, Yoshihiro Ueoka, Masami Mesuda, SANG, Liwen, NAGATA, Takahiro, CHIKYO, Toyohiro. Internal stress and polarity control of GaN film by low impurity GaN target. International Workshop on Nitride Semiconductors. 2022
  9. NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Akihiro, YAGYU, Shinjiro, CHIKYO, Toyohiro. Electronic state modification of (GaxIn1-x)2O3 solid solution thin film by combinatorial method. The 11th International Workshop on Combinatorial Materials Science and Technology. 2022
  10. YAMASHITA, Akihiro, 河野 敬, YAGYU, Shinjiro, CHIKYO, Toyohiro, NAGATA, Takahiro. Visualizing and disentangling latent information in two-dimensional X-ray diffraction images of In-Ga-O composition spread thin films. The 11th International Workshop on Combinatorial Materials Science and Technology. 2022
  11. 成 浩, 宝賀 剛, 上田 茂典, 小椋 厚志, 知京 豊裕, 長田 貴弘. (GaxIn1-x)2O3 固溶体によるβ-Ga2O3構造の電子状態・欠陥制御の検討. 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  12. 大門 祐貴, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. TFET用TiZnO/Si界面の熱処理による欠陥制御. 2022年　第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  13. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 安田 剛, 桑島 功, 劉雨彬, 中島嘉之. 光電子収量分光(PYS)データベース構築のためのメタデータ整理. 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  14. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 知京 豊裕, 長田 貴弘. 光電子収量分光における閾値の自動推定とその評価. 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  15. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, J. Kim, C.-Y. Nam, E. H. R. Tsai, 喜多 浩之, 右田 真司, 太田 裕之, 森田 行則. 異なる酸化剤を用いた原子層堆積法により作製した 強誘電体HfxZr1−xO2/TiNの構造評価. 2022年　第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  16. NAGATA, Takahiro, SOMU, Kumaragurubaran, 高橋 健一郎, Sung-Gi Ri, CHIKYO, Toyohiro. Combinatorial Synthesis and Interface Analysis for Development of High Dielectric Constant Thin Films. 241st ECS Meeting. 2022 Invited
  17. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 劉雨彬, 中島嘉之. 平均絶対誤差による光電子収量分光スペクトル(PYS)の閾値推定. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
  18. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, 太田 裕之, 森田 行則. 強誘電性の向上へ向けたTiN/HfxZr1−xO2界面のTiOxNy層の重要性. 第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2022
2021
  1. 山下 晶洸, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 朝日 透, 知京 豊裕. Quasi-Continuous Representation of Crystal Structure of Thin Films with Two-Dimensional X-Ray Diffraction and Non-Negative Matrix Factorization. 2021 MRS FALL MEETING & EXHIBIT. 2021
  2. 長田 貴弘. 硬X線光電子分光法による薄膜電子材料の表面・界面評価と機能制御. 2021実用表面分析講演会. 2021 Invited
  3. 長田 貴弘. Surface electronic state modification and device applications of wide band gap III-oxide semiconductors. 2021 Materials Research Society-Taiwan International Conference (2021 MRSTIC). 2021 Invited
  4. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 知京 豊裕, 長田 貴弘. 多評価簡易自動測定装置の開発. 第82回応用物理学会秋季学術講演会. 2021
  5. 知京 豊裕, 木野 日織, 長田 貴弘, 柳生 進二郎. 多様化する集積回路の潮流とそれを支えるインフォマテックス. 第82回応用物理学会秋季学術講演会. 2021 Invited
  6. 森田 雅也, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 上田 茂典, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. Si上無極性AlN成長への高N₂スパッタガス流量の効果. 2021年 第82回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2021
  7. MORITA, Masaya, 石橋啓次, 高橋健一郎, UEDA, Shigenori, CHIKYO, Toyohiro, 小椋厚志, NAGATA, Takahiro. Effect of Reactive Gas Condition on Nonpolar AlN Film Growth on MnS/Si(100) by Reactive DC Sputtering. 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2021
  8. 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志. Effect of Ti Scavenging Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated by Atomic Layer Deposition Using Hf/Zr Cocktail Precursor. AVS 21st International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2021) / https://ald2021.avs.org/. 2021
  9. 長田 貴弘. 薄膜材料開発のスマートラボ化とデータ連携のこれから. 日本化学会 第101春季年会(2021). 2021 Invited
  10. 森田 雅也, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. GaNテンプレート基板のためのSi基板上無極性面AlN結晶成長の作製条件の検討. 2021年 第68回 応用物理学会 春季学術講演会. 2021
  11. 女屋 崇, 生田目 俊秀, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. 放射光X線による低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の直方晶相同定の検討. 第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
  12. 山下 晶洸, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 朝日 透, 知京 豊裕. 密度ベースクラスタリングを用いた2次元X線回折測定の高速化. 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
  13. 柳生 進二郎, 三井 正, 知京 豊裕, 長田 貴弘. コンビナトリアル材料評価のためのパルスマグネットを用いたKerr効果顕微鏡の開発. 2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
  14. 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志. Control of ferroelectric phase formation in HfxZr1−xO2 thin films using nano-ZrO2 nucleation layer technique. MANA International Symposium 2021/https://www.nims.go.jp/mana/2021/index.html. 2021
  15. 森田 雅也, 石橋啓次, 高橋健一郎, 知京 豊裕, 小椋厚志, 長田 貴弘. Optimization of AlN growth conditions to improve the crystallinity of nonpolar AlN growth on Si (100) substrate. MANA INTERNATIONAL SYMPOSIUM 2021. 2021
  16. 森田 雅也, 石橋啓次, 高橋健一郎, 知京 豊裕, 小椋厚志, 長田 貴弘. MnSバッファー層を用いたSi基板上無極性面AlN成長の作製条件の検討. 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ー材料・プロセス・デバイス特性の物理ー. 2021
  17. 女屋 崇, 生田目 俊秀, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. Study on Ferroelectric Switching Properties and Fatigue Mechanism of Low-Temperature Fabricated HfxZr1−xO2 Thin Films using Pulse Measurement. 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ (EDIT26). 2021
  18. 森田 雅也, 石橋啓次, 高橋健一郎, 上田 茂典, 陳 君, 知京 豊裕, 小椋厚志, 長田 貴弘. Si (100)上無極性AlN成長時のN₂スパッタリングガス供給量の条件検討. 電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－(第26回研究会). 2021
2020
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, INOUE, Mari, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. Possibility of Above 20-nm-Thick HfxZr1−xO2/ZrO2 and HfxZr1−xO2/HfO2 Bilayers for High Polarization and Breakdown Voltage. 51th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2020
  2. 山下 晶洸, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 朝日 透, 知京 豊裕. Automated Cluster Analysis of 2-Dimensional X-Ray Diffraction for Composition Spread Oxide Thin Film Fabricated by Combinatorial Synthesis, Aiming to Visual Information-Guided Material Discovery. 2020 Virtual MRS Spring/Fall Meeting & Exhibit. 2020
  3. 森田 雅也, 石橋啓次, 高橋健一郎, 知京 豊裕, 小椋厚志, 長田 貴弘. ZnxMn1-xSバッファー層がSi上への無極性面AlN結晶成長へ与える効果. 日本電子材料技術協会 第57回秋期講演大会. 2020
  4. 柳生進二郎, 三井 正, 知京豊裕, 長田 貴弘. パルスマグネットを用いた小型Kerr効果測定装置. 2020年日本表面真空学会学術講演会. 2020
  5. NAGATA, Takahiro, Yuya Suemoto, Yoshihiro Ueoka, Masami Mesuda, SANG, Liwen, CHIKYO, Toyohiro. Effect of low temperature buffer layer on the all-sputtered epitaxial GaN/AlN film on Si (111) substrate. 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2020). 2020
  6. KOBAYASHI, Riku, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Influence of Adsorbed O2 on The Gate-Bias Stress Stability of Back-Gate-Type TFT with Carbon-Doped In2O3 Channel. 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference/https://mnc2020.award-con.com/LOGIN.php. 2020
  7. YAMASHITA, Akihiro, NAGATA, Takahiro, YAGYU, Shinjiro, 朝日 透, CHIKYO, Toyohiro. Accelerating 2-Dimensional X-Ray Diffraction Measurement and Analysis with Density-Based Clustering for Thin Films. 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2020). 2020
  8. MORITA, Masaya, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, CHIKYO, Toyohiro, 小椋厚志, NAGATA, Takahiro. Effects of ZnxMn1-xS buffer layer on nonpolar AlN growth on Si (100) substrate. 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020). 2020
  9. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, INOUE, Mari, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S. Kim, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. Improvement of Ferroelectricity and Fatigue Property of Thicker HfxZr1−xO2/ZrO2 Bi-layer. Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2020 (PRiME 2020). 2020
  10. 福井 暁人, 長田 貴弘, 土方 優, Jenny Pirillo, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔. 細胞培養液中のDMF 濃度計測に向けたMoS2 バイオセンサの開発. 第81回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2020
  11. 森田 雅也, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. Si基板上無極性面AlN成長のためのZnxMn1-xSバッファー層の作製条件の検討. 2020年 第81回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2020
  12. 山下 晶洸, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 朝日 透, 知京 豊裕. 視覚情報による薄膜材料探索効率化に向けた、2次元X線回折手法の自動解析技術の開発. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  13. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 井上 万里, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S. Kim, 澤本 直美, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. HfxZr1−xO2/ZrO2積層構造による強誘電体厚膜の強誘電性の向上. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  14. 末本 祐也, 上岡 義弘, 召田 雅実, サン リウエン, 長田 貴弘. 低酸素GaNスパッタリングターゲットを用いた高結晶性GaNの作製と評価. 第81回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2020
  15. 小林 陸, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. Air及びN2雰囲気のバイアスストレスによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTのトランジスタ特性. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  16. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, R. M. Wallace, J. Kim, 小椋 厚志. Ferroelectricity of Ferroelectric HfxZr1−xO2/Antiferroelectric ZrO2 Stack Structure Fabricated by Atomic Layer Deposition. 20th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2020
  17. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, R. M. Wallace, J. Kim, 小椋 厚志. Ferroelectricity of 300°C Low Temperature Fabricated HfxZr1−xO2 Thin Films by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition using Hf/Zr Cocktail Precursor. 20th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2020
  18. 柳生進二郎, 吉武道子, 知京豊裕, 長田貴弘. 多変量簡易自動測定装置の開発. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  19. 女屋 崇, 生田目 俊秀, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, 澤本 直美, 長田 貴弘, R. M. Wallace, J. Kim, 小椋 厚志. プラズマ原子層堆積法で300 °C低温形成した強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の疲労特性. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  20. 宝賀 剛, 山下 晶洸, 朝日 透, 知京 豊裕, 長田 貴弘. (GaxIn1-x)2O3固溶体薄膜における結晶構造および電気的特性の検討. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  21. 山下 晶洸, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 朝日 透, 知京 豊裕. 計測インフォマティクスに向けた2次元X線回析解析プログラムの開発. 第67回応用物理学会 春季学術講演会. 2020
  22. 柳生進二郎, 知京豊裕, 長田貴弘. パルスマグネットを用いたKerr効果顕微鏡の開発. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  23. 柳生進二郎, 知京豊裕, 長田貴弘, 吉武道子. 光電子収量分光(PYS)の閾値の自動判定. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  24. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. NBS及びPBSによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTの信頼性特性. 2020年第67回応用物理春季学術講演会. 2020
  25. KOBAYASHI, Riku, NABATAME, Toshihide, 栗島 一徳, ONAYA, Takashi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Comparison of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD. MANA INTERNATIONAL SYMPOSIUM 2020/https://www.nims.go.jp/mana/2020/. 2020
  26. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜を チャネルとした酸化物TFTの比較. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第25回）. 2020
2019
  1. ONAYA, Takashi, Y. C. Jung, NABATAME, Toshihide, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, N. Sawamoto, R. M. Wallace, NAGATA, Takahiro, J. Kim, 小椋 厚志. Reliability of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using 300°C Low Temperature Process with Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition. 50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2019
  2. NAGATA, Takahiro, Tomohiro Yamaguchi, UEDA, Shigenori, CHEN, Jun, Takuya Kobayashi, YI, Wei, Hirokazu Yokoo, CHIKYO, Toyohiro, YAMASHITA, Yoshiyuki. Photoelectron Spectroscopic Study on Electronic State of Corundum In2O3 Epitaxial Thin Film Grown by Mist-CVD. 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2019
  3. 柳生 進二郎, 知京 豊裕, 吉武 道子, 長田 貴弘. 光電子収量分光(PYS)における閾値の自動判定. 2019年日本表面真空学会学術講演会. 2019
  4. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, N. Sawamoto, H. S. Kim, R. M. Wallace, J. Kim, A. Khosravi, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Comparison of Reliability of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated by Several Processes with Plasma-Enhanced and Thermal Atomic Layer Deposition. The 19th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium. 2019
  5. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 木野 日織. マテリアルズインフォマティクスを使った 材料設計とスマート化の試み. 粉体粉末冶金協会　2019年度秋季大会（第124回講演大会）. 2019 Invited
  6. 小林 陸, NABATAME, Toshihide, 栗島 一徳, 女屋 崇, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated By Low-Temperature ALD Using Ιn-Etcp and H2O&O3 . 236th ECS Meeting. 2019
  7. NAGATA, Takahiro, Kazumichi Tsumura, Kenro Nakamura, Kengo Uchida, KAWAKITA, Jin, CHIKYO, Toyohiro, Kazuyuki Higashi. Photoelectroscopic Study of Mn Barrier Layer on SiO2 for Si Wafer Bonding Process. The IEEE International 3D Systems Integration Conference 2019. 2019
  8. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小出 康夫, 小林 啓介, 太田優一, 村田秀信, 山口智広, 金子昌充, 荒木努, 名西やすし. InGaNの表面-バルク電子状態評価. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  9. NAGATA, Takahiro. High-throughput materials development for nano-electronic device materials. International Symposium on Combinatorial Materials Synthesis and Wide Bandgap Semiconductors. 2019 Invited
  10. NAGATA, Takahiro, CHIKYO, Toyohiro, 安藤 陽. Combinatorial Synthesis of Pyrochlore Ferroelectric Thin Film for High-Temperature Operational Thin Film Capacitor. 2019 IEEE ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM Joint Conference. 2019
  11. ONAYA, Takashi, 澤本 直美, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated using plasma-enhanced atomic layer deposition and low temperature annealing process. 21th Conference of “Insulating Films on Semiconductors”. 2019
  12. NAGATA, Takahiro. Development of new high-dielectric constant thin film materials by combinatorial synthesis. International Conference on Optics in Materials, Energy, and Technologies, 2019 (ICOMET-2019). 2019 Invited
  13. 栗島 一徳, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. IEEE EDTM 2019. 2019
  14. 立島滉大, 長田 貴弘, 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕. 反応性スパッタ法を用いたMnS/Si (100)上への無極性AlN薄膜作製条件の検討. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  15. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本 直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋 厚志. 300 °C低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  16. 立島滉大, 長田 貴弘, 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕. スパッタリング法によるMnSバッファー層を用いた無極性AlN薄膜成長. MANA　Symposium. 2019
  17. YASUHARA, Yudai, NAGATA, Takahiro, CHIKYO, Toyohiro, 小椋 厚志. Effects of polarity and pyroelectricity of LiNbO3 on electrical property control of graphene. MANAシンポジウム. 2019
  18. 立島滉大, 長田貴弘, 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕. 反応性スパッタ法を用いたr面サファイア基板上無極性AlN薄膜作製条件の検討. 第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
  19. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 木津 たきお, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. 低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
2018
  1. YASUHARA, Yudai, NAGATA, Takahiro, CHIKYO, Toyohiro, 小椋 厚志. Electrical property control of graphene by polarity and pyroelectricity of LiNbO3 . F2Cπ2 2019 JOINT CONFERENCE. 2018
  2. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. Improvement of Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films by New ZrO2 Nucleation Technique. 49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2018
  3. NAGATA, Takahiro, UEDA, Shigenori, YAMASHITA, Yoshiyuki, MATSUDA, Asahiko, CHIKYO, Toyohiro. Development of Ge diffusion barrier layer at CeF3/Ge interface by combinatorial method. 10th International Workshop on Combinatorial Materials Science. 2018
  4. TATEJIMA, Kota, 高橋 健一郎, 石橋 啓次, NAGATA, Takahiro, 鈴木 摂, 小椋 厚志, CHIKYO, Toyohiro. Effect of substrate self-bias and nitrogen flow rate on non-polar AlN film growth by reactive sputtering. 31st International Microprocess and nanotechnology Conference. 2018
  5. IMURA, Masataka, BANAL, Ganipan Ryan, NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YANG, Anli, YOSHIKAWA, Hideki, TSUDA, Shunsuke, KOIDE, Yasuo, KOBAYASHI, Keisuke, 山口智広, 金子昌充, 荒木努, 名西やすし. Systematic investigation of surface and bulk electronic structures of unintentionally-doped InxGa1-xN (0≦x≦1) epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy. International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018). 2018
  6. NAGATA, Takahiro, Oliver Bierwagen, YAMASHITA, Yoshiyuki, Zbigniew Galazka, IMURA, Masataka, UEDA, Shigenori, CHIKYO, Toyohiro. Photoelectron spectroscopic study on electronic state and surface structure of In2O3 (111) single crystals. 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2018
  7. IMURA, Masataka, TSUDA, Shunsuke, NAGATA, Takahiro, YOSHIKAWA, Hideki, KOBAYASHI, Keisuke, YAMASHITA, Yoshiyuki, KOIDE, Yasuo, 山口智広, 荒木努, 名西やすし. Surface and bulk electronic structures of unintentionally-doped InxGa1-xN (0<x<1) epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy. 第37回電子材料シンポジウム. 2018
  8. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. ゲートバイアスストレスにおけるAl2O3パッシベーション層を用いたAl2O3/In-SI-O-C薄膜トランジスタの信頼性. AiMES 2018. 2018
  9. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, 澤本直美, 栗島一徳, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋厚志. Ferroelectricity of HfxZr1－xO2 thin films fabricated using TiN stressor layer and ZrO2 nucleation layer. AiMES 2018. 2018
  10. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 知京 豊裕, 長田 貴弘. 光電子収量分光（PYS)の閾値の自動判定の検討. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  11. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 知京 豊裕, 長田 貴弘. 機械学習による光電子収量分光（PYS）閾値の判定 -訓練データによる予測値依存性-. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  12. 立島滉大, 長田 貴弘, 高橋健一郎, 鈴木摂, 石橋啓次, 知京豊裕, 小椋厚志. 反応性スパッタ法を用いた無極性AlN薄膜成長における自己電圧効果の検討. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  13. インダリ エフィ ダウィ, 山下 良之, 長田 貴弘, 上田 茂典, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Effect of Conduction Band Offset on Breakdown Voltage at SiO2/4H-SiC (000-1) studied by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. 79th of JSAP Autumn Meeting 2018. 2018
  14. 安原 雄大, 長田 貴弘, 小椋 厚志, 知京 豊裕. LiNbO3の焦電効果によるグラフェンの電気特性制御の検討. 第79回秋季応用物理学会学術講演会. 2018
  15. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. ナノZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の作製技術. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018 Invited
  16. TATEJIMA, Kota, NAGATA, Takahiro, 鈴木摂, 小椋厚志, 高橋健一郎, CHIKYO, Toyohiro. Crystal Growth of MnS buffer layer for non-polar AlN on Si (100) deposited by RF-magnetron sputtering. Solid State Device and Material. 2018
  17. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. Impact of Top-ZrO2 Nucleation Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films for Ferroelectric Field Effect Transistor Application. SSDM2018. 2018
  18. 荻原 俊弥, 長田 貴弘, 吉川 英樹. 極低角度入射ビームオージェ深さ方向分析法で得られたHfO2薄膜/Si基板構造のオージェデプスプロファイルの解析. 第78回分析化学討論会. 2018
  19. NAGATA, Takahiro, UEDA, Shigenori, MATSUDA, Asahiko, YAMASHITA, Yoshiyuki, CHIKYO, Toyohiro. Photoelectron spectroscopic study of interface structure of CeF3/Ge stack structure. International Conference on Nanoelectronics Strategy. 2018
  20. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 小出 康夫, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし. Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  21. 安原 雄大, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. LiNbO3の極性と焦電効果がグラフェンの電気特性に及ぼす影響. 第66回春季応用物理学会学術講演会. 2018
  22. 荻原 俊弥, 長田 貴弘, 吉川 英樹. 極低角度入射ビームオージェ深さ方向分析で得られたHfO2/Si試料のオージェデプスプロファイルの解析. 第50回表面分析研究会. 2018
  23. 立島 滉大, 長田 貴弘, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂, 小椋厚志, 知京 豊裕. GaNエピタキシャル基板のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討. 第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2018
2017
  1. 長田 貴弘, 上田 茂典, 山下 良之, 松田 朝彦, 知京 豊裕. Development of fluoride based high-k dielectric thin film for GaN MIS capacitor. 2017 IWDTF. 2017
  2. 長田 貴弘, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂, 小椋　厚志, 知京 豊裕. GaNテンプレート基板のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討. 電子材料協会第54回秋季講演大会. 2017
  3. 山下 良之, 蓮沼　隆, 長田 貴弘, 知京 豊裕. Spectroscopic Observation of Interface States at SiO2/4H-SiC Interface. ECASIA2017. 2017
  4. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. Study of Sn and Mg Doping Effects on TiO2/Ge Stack Structure by Combinatorial Synthesis. International Conference on Solid State Devices and Materials. 2017
  5. 長田 貴弘, 上田 茂典, 松田 朝彦, 山下 良之, 知京 豊裕. Study on interface structure of CeF3/Ge stack structure by hard x-ray photoelectron spectroscopy. 7th International Conference on Hard X-Ray Photoelectron Spectro. 2017
  6. 立島 滉大, 長田 貴弘, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂, 小椋厚志, 知京 豊裕. Si基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いた AlNバッファー層作製条件の検討. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  7. 長田 貴弘, ソム クマラグルバラン, 鈴木 良尚, 高橋 健一郎, 李 成奇, 恒川 吉文, 鈴木 摂, 知京 豊裕. Combinatorial thin film synthesis for developments of new high dielectric constant thin film materials. IUMRS-ICAM 2017. 2017 Invited
  8. 立島 滉大, 長田 貴弘, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂, 小椋厚志, 知京 豊裕. 反応性スパッタ法を用いたエピタキシャルAlN膜の成長条件の検討. STAC-10. 2017
  9. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小出 康夫, 小林 啓介, 山口智広, 金子昌充, Ke Wang, 荒木努, 名西やすし. Surface and Bulk Electronic Structures of Mg-doped In0.7Ga0.3N Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12). 2017
  10. ゲラッハ ドミニク, 松田 朝彦, 長田 貴弘, 上田 茂典, Regan Wilks , Marcus Bär, 知京 豊裕. Characterization of buried metal/GaN interfaces. 16th International Conference on the Formation of Semiconductor . 2017
  11. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 伊藤 聡, 寺倉 清之, 石橋 啓次, 鈴木 摂. High Throughput Experimentation and Materials Informatics. Materials Research Society Spring Meeting 2017. 2017 Invited
  12. 長田 貴弘, 高橋 健一郎, 李 成奇, 恒川 吉文, 鈴木 摂, 知京 豊裕. Combinatorial synthesis of new high-dielectric constant film materials for nanoelectronics. 2017 MRS Spring Meeting & Exhibit. 2017
2016
  1. 長田 貴弘. 水熱合成ZnOナノ構造の物性と応用. 機能性酸化物膜の液相エピタキシャル結晶成長研究会. 2016 Invited
  2. 山下 良之, 蓮沼 隆, 長田 貴弘, 知京 豊裕. オペランド光電子分光法によるSiO2/SiC界面準位のエネルギー分布観測. 第36回表面科学学術講演会・第57回真空に関する連合講演会 . 2016
  3. 長田 貴弘. 次世代エレクトロニクス材料のための界面構造解析. 第73回表面技術アカデミック研究会討論会. 2016 Invited
  4. 長田 貴弘, 中村立, 早川 竜馬, 吉村武, オウ セウンジン, 廣芝伸哉, 知京 豊裕, 藤村紀文, 若山 裕. Crystallographic Polarity Effect of ZnO on Electronic State of Pentacene/ZnO Hetero Structure. MNC 2016. 2016
  5. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小出 康夫, 小林 啓介, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, Ke Wang, 荒木努, 名西やすし. Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016). 2016
  6. NAGATA, Takahiro. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Resistive random access memory. PRiME 2016/230th ECS Meeting. 2016 Invited
  7. 中村立, 長田 貴弘, 早川 竜馬, 吉村武, オウ セウンジン, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京 豊裕, 若山 裕. Crystallographic Polarity Effect of ZnO on Thin Film Growth of Pentacene. SSDM2016. 2016
  8. 長田 貴弘, Bierwagen Oliver, Galazka Zbigniew, 上田 茂典, 吉川 英樹, 山下 良之, 知京 豊裕. Surface electronic states of SnO2 single crystals studied by hard x-ray photoelectron spectroscopy. EMRS 2016 Fall Meeting. 2016
  9. 荻原 俊弥, 長田 貴弘, 吉川 英樹. 極低角度入射ビームオージェ深さ方向分析によるHfO2薄膜/Si基板構造の分析. 日本分析化学会第65年会. 2016
  10. 長田 貴弘, ソム クマラグルバラン, 高橋 健一郎, 李 成奇, 恒川 吉文, 鈴木 摂, 知京 豊裕. Development of new high-dielectric constant thin film materials for next-generation nanoelectronics. 229th ECS meeting. 2016 Invited
  11. 知京 豊裕, ギュエン ナム, 松田 朝彦, 屋山 巴, 長田 貴弘, ジョ ユージン, 関口 隆史, 上杉健二郎, 布上　真也, 福島　伸, 寺本　喬, Christian Dussarrat, 木村　貴子. Epitaxial grwoth of GaN on Si with buffers for future devioces. INC12. 2016
  12. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉武 道子, 柳生 進二郎, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 李 成奇, 鈴木 摂. マテリアルズインフォマティクスとハイスループット材料合成・計測. 日本セラミックス協会2016年年会. 2016 Invited
  13. 長田 貴弘, ビアワーゲン　オリバー, グラッツカ ツビグニュ, 上田 茂典, 山下 良之, 知京 豊裕. ワイドバンドギャップ酸化物半導体表面の 硬X線光電子分光による評価. 日本学術振興会産学協力研究166委員会第70回研究会. 2016
2015
  1. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀, 小椋, 知京 豊裕. TiO2/Ge 界面のGe拡散による影響. Materials Research Society of Japan. 2015
  2. 長田 貴弘. 硬X線光電子分光法による酸化物高誘電体ReRAM素子動作時の界面構造解析. 第25回日本MRS年次大会. 2015 Invited
  3. 長田 貴弘, 上田 茂典, 山下 良之, 東脇 正高, 倉又 朗人, 池野 成裕, 鈴木 良尚, 知京 豊裕. Electronic states of β-Ga2O3 single crystals studied by hard x-ray photoelectron spectroscopy. 2015 Materials Research Society Spring Meeting and Exhibit. 2015
  4. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀, 小椋, 知京 豊裕. Ge上ルチル型TiO2成膜条件の最適化の検討. 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2015
  5. 長田 貴弘, ソム クマラグルバラン, 恒川 吉文, 山下 良之, 上田 茂典, 高橋 健一郎, 李 成奇, 鈴木 摂, オウ セウンジン, 知京 豊裕. Interface stability of electrode/Bi-contained relaxor ferroelectric oxide stack struc-ture for high temperature operational capacitor. 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference . 2015
  6. 長田 貴弘, 上田 茂典, 山下 良之, 東脇 正高, 倉又 朗人, 池野 成裕, 鈴木 良尚, 知京 豊裕. Photoelectron spectroscopic study of electronic state of β-Ga2O3 single crystal. The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Mate. 2015
  7. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 井村 将隆, オウ セウンジン, 小橋 和義, 知京 豊裕. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study of Bottom Electrode Effect on Interface Reaction in Resistive Changing Memory Structure. 2015　IWDTF. 2015
  8. 長田 貴弘, ビアワーゲン　オリバー, グラッツカ ツビグニュ, 井村 将隆, 上田 茂典, 吉川 英樹, 知京 豊裕. Photoelectron spectroscopic study of electronic state of melt-grown bulk In2O3 single crystals. STAC-9&TOEO-9. 2015
  9. KAWAKITA, Jin, FUJIKAWA, Yuki, NAGATA, Takahiro, CHIKYOW, Toyohiro. Interfacial Charge Transfer Behaviour of Conducting Polymers as Contact Electrode for Semiconductor Devices. 2015 International Conference on Solid State Devices and Materia. 2015
  10. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉武 道子, 石橋 啓次, 鈴木 摂. High throughput experimentation and materials screening for materials informatics. 6th Wolrd Materials Reseach Institutes Forum. 2015 Invited
  11. 長田 貴弘, 若山 裕, 北村 健二, 知京 豊裕. Crystallographic polarity effect of oxide on π conjugated system. Workshop MANA-DIPC“Nanostructures and Complex Functional Materi. 2015
  12. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 角谷 正友, 鈴木 摂, 石橋 啓次, 高橋 健一郎. GaN on Si の現状と課題. 東京理科大学ジョイントセミナー. 2015 Invited
  13. 中村 立, 長田 貴弘, ギュエン ナム, 高橋 健一郎, 李 成奇, 石橋 啓次, 鈴木 摂, 知京 豊裕. Heteroepitaxial growth of nonpolar ZnO/AlN on Si (100) substrate using MnS buffer layer. 第34回　電子材料シンポジウム. 2015
  14. オウ セウンジン, 長田 貴弘, ヤノス　ヴォルク, 若山 裕. Uniform ordering of ZnO nanorods and nitrogen plasma treatment for improving ZnO-P3HT hybrid photovoltaic devices performance. Collaborative Conference on 3D and Materials Research. 2015 Invited
  15. 長田 貴弘, ソム クマラグルバラン, 高橋 健一郎, 李 成奇, 鈴木　摂, 恒川　吉文, 知京 豊裕. Combinatorial synthesis of Bi contained relaxer ferroelectric film for high temperature operational thin film capacitor. The 11th International Nanotechnology Conference on Communic. 2015
  16. 中浦 拓也, 原田 善之, 長田 貴弘, 関口 隆史, 知京 豊裕, 鈴木 摂, 石垣 隆正, 角谷 正友. MOCVD法を用いて成長したNドープZnO膜のアニール効果. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  17. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 井村 将隆, オウ セウンジン, 知京 豊裕. 硬X線光電子分光法によるCu/HfO2 -ReRAM素子動作時の界面構造解析. 第20回ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―. 2015
  18. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, パウルサミー チナマトゥ, 生田目 俊秀, 小橋 和義, 小椋厚志, 知京 豊裕. Ge上ルチル型TiO2_High-k層へのYドープ濃度の依存性. ゲートスタック研究会. 2015
2014
  1. 中村 立, ギュエン ナム, 長田 貴弘, 知京 豊裕, 李 成奇, 高橋 健一郎, 石橋 啓次, 鈴木 摂. Si基板上非極性ZnO薄膜のエピタキシャル成長とそのLED特性. 第51回日本電子材料技術協会秋期講演大会. 2014
  2. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 井村 将隆, オウ セウンジン, 小橋 和義, 知京 豊裕. Bias induced Cu ion migration behavior in resistive change memory structure observed by hard x-ray photoelectron spectroscopy. 2014 International Microprocesses and Nanotechnology Conference . 2014
  3. 中村 立, ギュエン ナム, 長田 貴弘, 高橋 健一郎, 李 成奇, 石橋 啓次, 鈴木 摂, 知京 豊裕. MnSバッファ層を用いたSi基板上への非極性ZnO薄膜のヘテロエピタキシャル成長. 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2014
  4. ソム クマラグルバラン, 長田 貴弘, 高橋健一郎, 李成奇, 恒川　義文, 鈴木摂, 知京 豊裕. Combinatorial synthesis of BaTiO3-Bi(Mg2/3Nb1/3)O3 thin-films for high-temperature capacitors. 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2014
  5. 長田 貴弘, ソム クマラグルバラン, 高橋 健一郎, 李成奇, 恒川吉文, 鈴木摂, 知京 豊裕. Combinatorial synthesis of Bi contained relaxer ferroelectric thin films for high temperature operational capacitor. The 8th International Workshop on Combinatorial Materials Scienc. 2014
  6. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 鈴木 摂. マテリアルインフォ-マティックスとコンビナトリアル材料合成. 日本金属学会　2014年秋季講演大会. 2014 Invited
  7. 長田 貴弘, ﾋﾞｱﾜｰｹﾞﾝ ｵﾘﾊﾞｰ, ｶﾞﾗｯｶ ｽﾞﾋﾞﾆｪﾌ, 上田 茂典, 吉川 英樹, 井村 将隆, 山下 良之, オウ セウンジン, 坂田 修身, 知京 豊裕. 硬X線光電子分光法によるIn2O3単結晶の電子状態評価. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  8. ソム クマラグルバラン, 長田 貴弘, 高橋健一郎, 李成奇, 恒川　義文, 鈴木摂, 知京 豊裕. BaTiO3 Based Relaxor Ferroelectric Epitaxial Thin-films for High-temperature Operational Capacitors. International conference on Solid State Devices and Materials. 2014
  9. SOMU, Kumaragurubaran, NAGATA, Takahiro, CHIKYOW, Toyohiro, Takahashi Kenichiro, Ri Sung-Gi, Tsunekawa　Yoshifumi, Suzuki Setsu. BaTiO3 Based Relaxor Ferroelectric Epitaxial Thin-films for High-temperature Operational Capacitors. International conference on Solid State Devices and Materials. 2014
  10. KAWAKITA, Jin, FUJIKAWA, Yuki, NAGATA, Takahiro, CHIKYOW, Toyohiro. Charge-Transfer Behavior of Conducting Polymers as Contact Electrode for Semiconductor Devicesharacterization of Multiwalled Carbon Nanotube-Reinforced Hydroxyapatite Composites Consolidated by Spark Plasma Sintering. International Conference on Solid State Devices and Materials. 2014
  11. NAGATA, Takahiro. Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Nanoionics-Type ReRAM Structure under Bias Operation. the 225th ECS Meeting. 2014 Invited
  12. オウ セウンジン, 長田 貴弘, ヤノス　ヴォルク, 若山 裕. Uniform ordering of ZnO nanorods and nitrogen plasma treatment for improving ZnO-P3HT hybrid photovoltaic devices performance. 2014 MRS Spring Meeting. 2014
  13. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 吉武 道子, 柳生 進二郎, 大毛利 健治. ナノエレクトロニクス分野における国際連携の取り組み. 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014 Invited
  14. 渡辺 健太郎, フォルク ヤノシュ, オウ セウンジン, 長田 貴弘, 若山 裕, 関口 隆史. ナノプローブCL法によるZnOナノロッドの曲げ変形とバンドギャップの歪シフトのその場評価. 2014年春季<第61回>応用物理学会. 2014
  15. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2 界面層を用いたHfO2/Ge界面構造制御. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  16. 長田 貴弘, 小橋 和義, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋　厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2緩衝層を用いたHigh-k/Ge界面構造制御に関する研究. ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―（第19回）. 2014
2013
  1. 長田 貴弘, Bierwagen Oliver, Galazka Zbigniew , 上田 茂典, 吉川 英樹, 井村 将隆, オウ セウンジン, 山下 良之, 坂田 修身, 知京 豊裕. Surface electronic states of In2O3 single crystals studied by hard x-ray photoelectron spectroscopy. 2013 Materials Research Society Spring Meeting and Exhibit. 2013
  2. ソム クマラグルバラン, 長田 貴弘, 知京 豊裕, 李成奇, 高橋健一郎, 鈴木摂. BaTiO3系酸化物を用いた高誘電体材料の開発と高温デバイスへの応用. 第50回日本電子材料技術協会秋期講演大会. 2013
  3. 渡辺 健太郎, オウ セウンジン, フォルク ヤノシュ, 長田 貴弘, 若山 裕, 関口 隆史. カソードルミネッセンス法による酸化亜鉛ナノロッド成長履歴の可視化. ACSIN-12/ICSPM21. 2013
  4. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2界面層がHfO2/GeMOS構造に与える影響. SSDM　2013. 2013
  5. 渡辺 健太郎, オウ セウンジン, フォルク ヤノシュ, 長田 貴弘, 若山 裕, 関口 隆史. 溶液成長ZnOナノロッドの成長異方性と電気特性. 2013年秋季<第74回>応用物理学会. 2013
  6. オウ セウンジン, 長田 貴弘, ヤノス ヴォルク, 若山 裕. Uniform ordering of ZnO nanorods and near-atmospheric pressure nitrogen plasma treatment for improving ZnO-P3HT hybrid photovoltaic devices performance. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  7. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 武田 寛之, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし. 硬X線光電子分光法を用いたMg-InNのエネルギーバンド分布評価. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  8. 北村 健二, 長田 貴弘, 長田 実, 劉　暁燕. 強誘電体結晶のポテンシャル. 第26回秋季シンポジウム. 2013
  9. 北村 健二, 長田 貴弘, 長田 実, 劉　暁燕. 強誘電体結晶表面電位のエネルギーおよびバイオへの応用. ICMAT 2013. 2013 Invited
  10. 渡辺 健太郎, フォルク ヤノシュ, オウ セウンジン, 長田 貴弘, 若山 裕, 関口 隆史. カソードルミネッセンス法による酸化亜鉛ナノロッドの成長履歴の可視化. NIMS Conference 2013. 2013
  11. オウ セウンジン, 長田 貴弘, ヤノス ヴォルク, 若山 裕. Uniform ordering of ZnO nanorods and near-atmospheric pressure nitrogen plasma treatment for improving ZnO-P3HT hybrid photovoltaic devices performance. NIMS Conference 2013. 2013
  12. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2界面層がHfO2/Ge MOSデバイスに与える影響. NIMS Conference 2013. 2013
  13. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based ReRAM Structure under Bias Operation. 2013 NIMS CONFERENCE . 2013 Invited
  14. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 知京 豊裕. Combinatorial synthesis of Cu/high-k oxide structure for nanoionics type ReRAM device application. 2013 NIMS CONFERENCE. 2013
  15. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕. HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2013
  16. 渡辺 健太郎, フォルク ヤノシュ, オウ セウンジン, 長田 貴弘, 若山 裕, 関口 隆史. CL法によるZnOナノワイヤの成長機構の評価. 日本顕微鏡学会　第69回学術講演会. 2013
  17. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 知京 豊裕. Combinatorial synthesis of Cu/high-k dielectric oxide stack structure for nanoionics type ReRAM device. 9th International Nanotechnology Conference on Communication and. 2013
  18. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 陳 君, ギュエン ナム, NGUYENNam, 関口 隆史, 山下 良之, 柳生 進二郎, 吉武 道子. New materials discovery and their application for future nano electronics. INC9. 2013
  19. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 武田 寛之, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 山口智広, 金子昌充, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし. 硬X線光電子分光法を用いたMgドープIn0.70Ga0.30Nの 表面-バルク電子状態評価. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  20. 中村立, 長田 貴弘, 早川 竜馬, オウ セウンジン, 廣芝 伸哉, 藤村紀文, 知京 豊裕, 若山 裕. 極性ZnO基板上におけるペンタセン薄膜の成長モード. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  21. 渡辺 健太郎, フォルク ヤノシュ, オウ セウンジン, 長田 貴弘, 若山 裕, 関口 隆史. 極低温ナノプローブCL法によるZnOナノワイヤの光学・電気特性評価. 2013年春季<第60回>応用物理学会. 2013
  22. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 関口 隆史, 陳 君, Yongxun Lui, 昌原明植. ナノスケール機能性酸化物の多様性と次世代デバイスへの期待. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013 Invited
  23. オウ セウンジン, 長田 貴弘, ヤノス　ヴォルク, 若山 裕. 高度に配向されたZnOナノロッドと大気圧窒素プラズマ表面処理の光電変換デバイスへの影響. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  24. ソム クマラグルバラン, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 吉武 道子, 柳生 進二郎, 陳 君, 関口 隆史. COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION FOR THE GATE STACK IN ADVANCED CMOS DEVICES. Second international workshop on advanced functional nanomateria. 2013 Invited
2012
  1. 長田 貴弘, オウ セウンジン, 山下 良之, 吉川 英樹, 池野 成裕, 小林 啓介, 知京 豊裕, 若山 裕. Photoelectron spectroscopic study on band alingment of P3HT/polar-ZnO heterointeraface. 10th International Conference on Nano-Molecular Electronics. 2012
  2. 小橋 和義, 長田 貴弘, 池野 成裕, 小椋厚志, 知京 豊裕. Ta2O5キャップによる界面層スカベンジングを用いたHfO2/Si直接接合の形成. The 6th JSPS Silicon Symposium. 2012
  3. 知京 豊裕, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 吉武 道子, 陳 君, 関口 隆史, 大毛利 健治. COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION ON HIGH-K GATE OXIDE AND METAL GATE FOR FUTURE CMOS DEVICES. ISAEM-2012 -AMDI-3. 2012 Invited
  4. 長田 貴弘, ビエラワゲンオリバー, ホワイトマーク, ツアイミン, 山下 良之, 吉川 英樹, 大橋 直樹, 小林 啓介, 知京 豊裕, ジェームズスペック. 酸化物半導体薄膜表面の電荷蓄積層の評価と制御. 日本セラミックス協会第32回エレクトロセラミックス研究討論会. 2012
  5. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 知京 豊裕. Combinatorial synthesis of Ta-Nb oxide system for nano-ionics type ReRAM device. 7th International Workshop on Combinatorial Materials Science an. 2012
  6. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 金子昌充, 金子昌充, 山口智広, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし. 硬X線光電子分光法を用いたMgドープInNの表面&バルク電子状態評価. International Workshop on Nitride Semiconductors 2012. 2012
  7. 中村立, 長田 貴弘, 早川 竜馬, オウ セウンジン, 廣芝 伸哉, 藤村紀文, 知京 豊裕, 若山 裕. Effect of the polarity on the initial state of interface formation in organic semiconductor/ZnO heterostructures. The 7th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materia. 2012
  8. 渡辺 健太郎, フォルク ヤノシュ, オウ セウンジン, 長田 貴弘, 若山 裕, 関口 隆史. ナノプローブ・カソードルミネッセンス装置の開発と圧電性ナノ材料の応力印加その場評価への応用. 2012年秋季<第73回>応用物理学会. 2012
  9. 長田 貴弘, オウ セウンジン, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕, 若山 裕. Band alignment study on P3HT/ZnO photovoltaic cell structure using hard x-ray photoelectron spectroscopy. The 7th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materia. 2012
  10. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 金子昌充, 金子昌充, 山口智広, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし. 硬X線光電子分光法を用いたInNの表面電子状態評価. 第72回応用応用物理学会学術講演会. 2012
  11. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 金子昌充, 金子昌充, 山口智広, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし. 硬X線光電子分光法を用いたMgドープInNの表面およびバルク電子状態評価. 第31回電子材料シンポジウム. 2012
  12. 小橋 和義, 長田 貴弘, 池野 成裕, 小椋厚志, 知京 豊裕. Ta2O5 capを用いた界面スカベンジング技術によるHigh-k/Si直接接合の形成. the 8th International Nanotechnology Conference (INC8). 2012
  13. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 南風盛 将光, 小林 啓介, 知京 豊裕. ias Application HX-PES Study of Metal/HfO2 structure for Oxide Based ReRAM Application. 8th International Nanotechnology Conference on Communication and. 2012
  14. 池野 成裕, 土屋祐樹, 立花福久, 鈴木摂, 石橋啓次, 長田 貴弘, 小椋厚志, 知京 豊裕. 低温成長SiO2でパッシベーションされたシリコン表面に対する水素ラジカル処理の効果. INC8. 2012
  15. 吉川 英樹, 山下 良之, 長田 貴弘. 実用デバイスにおける電圧駆動状態でのin-situ硬Ｘ線光電子分光. 平成23年度GINO研究領域創成支援プロジェクトワークショップ. 2012 Invited
  16. 中村立, 長田 貴弘, 早川 竜馬, オウ セウンジン, 廣芝 伸哉, 藤村紀文, 知京 豊裕, 若山 裕. ZnO極性表面上に成長したペンタセン薄膜の表面電位測定. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  17. 吉武 道子, 長田 貴弘, ソン ウェイジェ, 山内 康弘. 極薄エピアルミナ膜/CuAl合金単結晶の大気保持中の安定性. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  18. 長田 貴弘, オウ セウンジン, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕, 若山 裕. 硬X線光電子分光法を用いたP3HT/ZnO界面のバンドアライメント評価. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  19. オウ セウンジン, 長田 貴弘, Janos Volk, 若山 裕. ナノインプリント法を用いたZnOナノロッドの成長制御と光電変換デバイスへの応用. 応用物理学関係連合講演会. 2012
  20. 小橋 和義, 長田 貴弘, 池野 成裕, 小椋　厚志, 知京 豊裕. スカベンジング効果を用いたHfO2/Si界面のSiO2の薄膜化. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  21. 長田 貴弘, 杉村茂昭, 知京 豊裕. PLD法によるZnO薄膜成長における単結晶ターゲットの効果. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  22. オウ セウンジン, 長田 貴弘, Janos Volk, 若山 裕. ナノインプリント法により高度に配列されたZnOナノロッド. 分子ナノシステムの創発化学 第3回公開シンポジウム. 2012
2011
  1. YOSHITAKE, Michiko, NAGATA, Takahiro, SONG, Weijie, Yamauchi Yasuhiro. 極薄エピアルミナ膜/CuAl合金単結晶の大気保持中の安定性. 第31回表面科学学術講演会. 2011
  2. 小橋 和義, 長田 貴弘, 岩下 祐太, 池野 成裕, 足立 哲也, 小椋厚志, 知京 豊裕. スカベンジング効果を用いたHfO2/Si界面のSiO2の薄膜化. 日本電子材料技術協会第48回秋期講演大会. 2011
  3. 池野 成裕, 立花　福久, Lee Hyunju, 長田 貴弘, 小橋 和義, 小椋　厚志, 知京 豊裕. コンビナトリアル手法を用いた結晶Si系太陽電池パッシベーションにおける材料探索. The 3rd NIMS(MANA)- Waseda International Symposium. 2011
  4. 池野 成裕, 立花 福久, Lee Hyunju, 長田 貴弘, 小橋 和義, 吉田 晴彦, 新船 幸二, 佐藤 真一, 知京 豊裕, 小椋 厚志. コンビナトリアル手法を用いたZrO2系パッシベーション層の結晶Si太陽電池への応用. DRIP XIV conference. 2011
  5. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 南風盛 将光, 小林 啓介, 知京 豊裕. BIAS APPLICATION HX-PES STUDY OF METAL/OXIDE INTERFACE: OXIDE BASED RERAM APPLICATION. HAXPES 2011 - 4th International Workshop on Hard X-ray Photoelec. 2011
  6. 中村立, 長田 貴弘, 早川 竜馬, オウ セウンジン, 廣芝 伸哉, 藤村紀文, 知京 豊裕, 若山 裕. 極性を有するZnO基板上のペンタセン薄膜の成長過程. 応用物理学会学術講演会. 2011
  7. 山下 良之, 長田 貴弘, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林 啓介. Bias-application in Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy for Characterization of Advanced Materials. European Conference on Surface Science. 2011
  8. オウ セウンジン, 長田 貴弘, 知京 豊裕, 若山 裕. ZnO/P3HTハイブリッド光電変換デバイスの界面制御による高効率化の検討. 応用物理学会学術講演会. 2011
  9. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 吉武 道子, 陳 君, 関口 隆史. combinatorial materials research and screening for future nano electronics. the 6th CSIRO Advanced Materials Conference & Workshops . 2011 Invited
  10. 知京 豊裕, 吉武 道子, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 関口 隆史. New materials research for future nano electronics in NIMS. The 7th International Nanotechnology Conference. 2011
  11. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. Study on oxygen and metal migration at Pt or Cu/HfO2 interfaces under bias operation for oxide based ReRAM application. The Seventh International Nanotechnology Conference on Communic. 2011
  12. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 岩下 祐太, 知京 豊裕. Oxygen migration at Pt or Cu/HfO2 interface under bias operation: oxide based ReRAM application. 2011 Materials Research Society Spring Meeting and Exhibit. 2011
  13. 長田 貴弘, フォルク ヤヌシュ, エデリー ロベルト, 呉 承俊, 知京 豊裕, バルソニー イステバン, 若山 裕. 配置制御されたZnOナノロッド成長への基板の影響. 平成23年春季第58回応用物理学関係連合講演会. 2011
  14. 中村 立, 長田 貴弘, 芦田 淳, 吉村 武, 藤村 紀文. Zn 極性及びO 極性ホモエピタキシャルZnO 薄膜の表面構造. 平成23年春季第58回応用物理学関係連合講演会. 2011
  15. 小松 正二郎, 小林 一昭, 長田 貴弘, 知京 豊裕. レーザプラズマシナジーデポジションによる新しいBN半導体薄膜：そのsp3結合性多型と機能性形態について. The 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces and Pla. 2011 Invited
  16. 小松 正二郎, 小林 一昭, 長田 貴弘, 知京 豊裕. 光支援プラズマCVDによるsp3結合性BNの新結晶相：基礎と電子デバイスへの応用. ICACNM-2011. 2011 Invited
  17. 小松 正二郎, 小林 一昭, 長田 貴弘, 知京 豊裕. レーザプラズマ同期法による新規半導体sp3-結合性BN薄膜とその機能性. ICNC 2011. 2011 Invited
2010
  1. 小松 正二郎, 小林 一昭, 長田 貴弘, 知京 豊裕. sp3結合精BNの新規結晶相：そのレーザプラズマ複合化プロセスによる作製と応用. TENCON2010. 2010
  2. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, ギュエン ナム, 吉武 道子, 陳 君, 関口 隆史. Combinatorial materials design and its application for nano device in future. International Workshop on Materials Discovery by Scale-Bridging . 2010 Invited
  3. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 梅澤 直人, 吉武 道子, 関口 隆史. Combinatorial approach for selection of new gate stack materials. RUSNANO2010. 2010 Invited
  4. 小松 正二郎, 小林 一昭, 長田 貴弘, 知京 豊裕. レーザプラズマ同期CVDによる新規構造BNの作製. ICRP-7. 2010
  5. 長田 貴弘, 呉承俊, 若山 裕, 知京 豊裕. UV-オゾンクリーニングのPEDOT:PSS薄膜の電気特性への影響. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  6. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. 電圧印加硬X線光電子分光法によるReRAM:金属/HfO2界面の電子状態評価. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  7. 長田 貴弘, Oliver Bierwagen, Mark E. White, Min-Ying Tsai, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 大橋 直樹, 知京 豊裕, James S. Speck. Surface structure and chemical states of semiconducting oxides. Focused workshop on semiconducting oxides. 2010 Invited
  8. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. Interface structure of Pt-based alloy contact on ZnO single crystal. STAC-4. 2010
  9. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 陳 君, 関口 隆史, 吉武 道子, 生田目 俊秀. Strategy for new materials discovery for future nano electronics. International Nanotechnology Conference 6 (INC6). 2010
  10. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 梅澤 直人, 吉武 道子, 関口 隆史, 陳 君. Landscape of Materials Design for Future Nano Electronics and High-throughput Materials Exploration. 1st Singapore-Japan Workshop on Advances in nanomaterials. 2010 Invited
  11. 長田 貴弘, Oliver Bierwagen, Mark E. White, Min-Ying Tsai, James S. Speck. Doping effect on valence band and chemical state of Sb- and In-doped SnO2 (101) thin films. 2010 MRS Spring Meeting. 2010
2009
  1. NAGATA, Takahiro. Nitride film Growth by Near-Atmospheric Nitrogen Plasma-Assisted Chemical Vapor. 第19回日本MRS学術シンポジウム. 2009 Invited
  2. 長田 貴弘, フォルク ヤノシュ, 山下 良之, 吉川 英樹, 南風盛 将光, 早川 竜馬, 吉武 道子, 上田 茂典, 小林 啓介, 知京 豊裕. Interface structure and chemical states of Pt-based metal contact on polar-ZnO single crystal. 2009 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting . 2009
  3. 南風盛 将光, 長田 貴弘, 知京 豊裕. Cu/HfO2/Pt構造のパルス電場スイッチング特性. 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会. 2009
  4. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 梅澤 直人, 吉武 道子, 関口 隆史. Landscape of Combinatorial Materials Exploration and its application for nano scicence . China NANO 2009. 2009 Invited
  5. 長田 貴弘, Oliver Bierwagen, Gregor Koblmüller, Chad S. Gallinat, James S. Speck. Surface accumulation layer and structure of non-polar InN films. The 36th International Symposium on Compound Semiconductors. 2009
  6. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 梅澤 直人, 吉武 道子, 関口 隆史. Landscape of materials design for future nano electronics and high-throughput materials exploration。 . Nano Korea 2009. 2009 Invited
  7. 長田 貴弘, フォルク ヤノシュ, 山下 良之, 吉川 英樹, 南風盛 将光, 早川 竜馬, 上田 茂典, 小林 啓介, 知京 豊裕. Interface structure and chemical states of metal contact on oxide materials. The Fifth Internation Nanotechnology Conference on Communication. 2009
  8. 南風盛 将光, 長田 貴弘, 知京 豊裕. Cu/HfO2/Pt 構造の抵抗変化スイッチング特性. 2009 MRS Spring Meeting. 2009
  9. 南風盛 将光, 長田 貴弘, 知京 豊裕. 酸化ハフニウムを固体電解質としたCu/HfO2/Pt構造の抵抗スイッチング特性. 2009年春季　第56回応用物理学関係連合講演会. 2009
2008
  1. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 梅澤 直人, 伊高 健治, 吉武 道子, 鯉沼 秀臣. System to create a combinatorial thin film library. 5Th International Conference on Combinatorial and highThroughput. 2008 Invited
  2. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 知京 豊裕. Composition spread metal thin film fabrication by combinatorial sputtering technique. 5th Int.Conf. on Combinatorial and High-Throughput Mat. Science. 2008
  3. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介, 吉武 道子, 早川 竜馬, 知京 豊裕. Schottky barrier height control of Pt-based Binary-alloy on ZnO by Combinatorial Method. 2008 Electronic Materials Conference. 2008
  4. CHIKYO, Toyohiro, 大毛利健治, NAGATA, Takahiro, UMEZAWA, Naoto, HAEMORI, Masamitsu, YOSHITAKE, Michiko, HASEGAWA, Tetsuya, KOINUMA, Hideomi, YAMADA, Keisaku. LANDSCAPE OF COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION and HIGH THROUGHPUT　CHARACTERIZATIONS FOR THE POST-CMOS DEVICES . 2008 VLSI-TSA. 2008 Invited
  5. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 南風盛 将光, 安西純一郎, 上原剛, 知京 豊裕. ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長における水素添加の効果. 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 . 2008
  6. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 南風盛 将光, 中島 清美, 米谷玲皇, 神田一浩, 松井真二, 知京 豊裕. FIB-CVD法により堆積したDLC薄膜の熱処理による構造変化. 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 . 2008
  7. 南風盛 将光, 長田 貴弘, 知京 豊裕. 遷移金属酸化物を用いた原子スイッチ中間層材料の探索. MRS spring meeting 2008. 2008
  8. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 梅澤 直人, 吉武 道子, 大毛利 健治, 渡部 平司, 山田 啓作, 白石 賢二, 鯉沼 秀臣. Landscape of materials design for future nano-electronics and high-throughput materials exploration. JST-DFG Workshop on Nanoelectronics. 2008 Invited
2007
  1. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 上原剛, 知京 豊裕. The Hydrogen Effect on GaN film Growth by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. 第18回日本MRS学術シンポジウム . 2007
  2. 長田 貴弘, フォルク ヤノシュ, 吉武 道子, 知京 豊裕. Pt-based Binary-alloy Schottky Metal Library Fabrication for ZnO by Combinatorial Method. 2007 MRS Fall Meeting. 2007
  3. CHIKYO, Toyohiro, NAGATA, Takahiro, UMEZAWA, Naoto, YOSHITAKE, Michiko, 大毛利健治, YAMADA, Keisaku, LIPPMAA, Mikk, KOINUMA, Hideomi. Landscape of Combinatorial Materials Exploration and Materials Informatics. MRS Fall Meeting 2007. 2007 Invited
  4. 南風盛 将光, 長田 貴弘, 知京 豊裕. 金属酸化物を用いた原子スイッチ中間層材料の検討. 第44回日本電子材料技術協会秋期講演大会. 2007
  5. 知京 豊裕, 大毛利 健治, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 吉武 道子, 渡部 平司, 山田 啓作. Metal glass application as the gate materials for the future ULSI. 第5回NIMS-マックスプランク研究所ワークショップ. 2007 Invited
  6. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. Low Temperature Growth of GaN film by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. the 7th International Conference of Nitride Semiconductors. 2007
  7. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 神田一浩, 米谷玲皇, 松井　真二, 中島 清美, 知京 豊裕. FIB-CVD法によるDLC薄膜におけるアニール効果. JST ナノファクトリ領域全体会議. 2007
  8. 長田 貴弘, フォルク ヤノシュ, 吉武 道子, 知京 豊裕. コンビナトリアル手法によるZnO上のPt系合金Schottky電極の作成. 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  9. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 梅澤 直人, ククルズニアック ドミトリー, 南風盛 将光, 吉武 道子, 柳生 進二郎, 新倉 ちさと, 小松 正二郎, 大毛利 健治, 山田 啓作, 山部 紀久夫. Strategy of Materials Science for future Nano Electrnonics. INC3. 2007
  10. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長. 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会 . 2007
  11. 長田 貴弘, フォルク ヤノシュ, 吉武 道子, 知京 豊裕. Schottky Metal Library for ZnO Based UV Photodiode Fabricated by Combinatorial Ion Beam Deposition. The 2nd Japan-India Workshop on Optronic Materials and Devices. 2007
  12. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. Low temperature growth of GaN films by near-atmospheric plasma-assisted chemical vapor deposition. 2nd International Advanced Materials Forum for Young Scientists. 2007
2006
  1. 若山 裕, 佐々木 洋征, 早川竜馬, 長田 貴弘, 高見 誠一, 知京 豊裕, 小林健二. Molecular design, nanostructure growth and electronic properties of pi-pi stacking molecular systems. The 7th international conference on nano-molecular electronics. 2006
  2. 目黒 伸也, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 渋谷圭介, 大西剛, リップマー・ミック, 上野和紀, 大友明, 福村知昭, 川崎雅司, 鯉沼 秀臣. 固体材料科学に向けたWebベースのデータ管理システム. 第17回日本MRS学術シンポジウム. 2006
  3. NAGATA, Takahiro. Low Temperature Growth of GaN film by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. 第17回日本MRS学術シンポジウム. 2006
  4. 長田 貴弘, フォルク ヤノシュ, Parhat Ahmet, 吉武 道子, 知京 豊裕. Combinatorial synthesis of Pt-based Binary-alloy Schottky Contacts on ZnO by a Combinatorial Ion Beam Sputtering. 4th International Workshop on Combinatorial Materials Science an. 2006
  5. 目黒 伸也, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 渋谷圭介, 大西剛, リップマー・ミック, 鯉沼 秀臣. Web-based data management infrastructure for solid-state materials science. 4th International Workshop on Combinatorial Materials Science. 2006
  6. 長田 貴弘, フォルク ヤノシュ, Parhat Ahmet, 吉武 道子, 知京 豊裕. Electrical Properties and Interface Structures of Binary-alloy Schottky Contacts on ZnO Fabricated by a Combinatorial Ion Beam S. 2006 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting. 2006
  7. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. 大気圧プラズマＣＶＤによる窒化物薄膜作製. 日本電子材料技術協会第43回秋期講演大会. 2006
  8. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜成長. 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会. 2006
  9. 田中 洋則, 小松 正二郎, 風見大介, 長田 貴弘, 守吉 佑介, 岡田 勝行. レーザー支援プラズマCVD法によるsp3-結合性5H-BNミクロコーンエミッターの低温成長. 第67回応用物理学会学術講演会. 2006
  10. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 大毛利 健治, 梅澤 直人, フォルク ヤノシュ, 中島 清美, 柳生 進二郎, 吉武 道子. Combinatorial ternary and binary composition spread thin film deposition and its application for nano scale materials science. 48th IUVSTA Workshop. 2006
  11. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 大毛利 健治, 山田 啓作, 白石 賢二, 梅澤 直人. Combinatorial Nano Interface Control for future Nano Electrnonics. The second international nanotechnology conference. 2006
  12. 長田 貴弘, 上原剛, 佐久間 芳樹, 知京 豊裕. 大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長. 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
2005
  1. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 上原剛, 知京 豊裕. GaN Film Growth by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. 第16回日本MRS学術シンポジウム(国際シンポジウム) . 2005
  2. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. Nano rod fabrication of GaN by FIB assisted CVD. 2005 NIST-NIMS Combinatorial Nanomaterials Symposium. 2005 Invited
  3. 大毛利 健治, Parhat Ahmet, ククルズニアック ドミトリー, 長田 貴弘, 中島 清美, 白石賢二, 山部紀久雄, 渡部平司, 山田啓作, G. Richter, T. Wagner, K. S. Chang, M.L.Greene, 知京 豊裕. Influence of Continuous Workfunction Variation on Electric Properties by Combinatorial Materials Deposition Method. The 36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2005
  4. 長田 貴弘, Parhat Ahmet, 山田啓作, 筒井謙, 和田恭雄, 知京 豊裕. Crystal Structures and Electrical Properties of Binary-alloy Schottky Contacts on ZnO Fabricated by a Combinatorial Ion Beam Ass. the 2005 MRS Fall Meeting . 2005
  5. 大毛利 健治, Parhat Ahmet, ククルズニアック ドミトリー, 長田 貴弘, 中島 清美, 山田啓作, 白石賢二, G. Richter, T. Wagner, K.-S. Chang, M. L. Greene, 知京 豊裕. Combinatorial Materials Exploration for Gate Stack Structures of Metal Gate Electrodes and High-κ Dielectric Films. 2005 MRS Fall Meeting. 2005
  6. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. 集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価. 日本電子材料技術協会第42回秋期講演大会. 2005
  7. KUKURUZNYAK, Dmitry, PARHAT, AHMET, NAGATA, Takahiro, CHIKYO, Toyohiro. Advantageous effect of lattice mismatch for heteroepitaxial growth of thin oxide films. 6th Pacific Rim Conference on Ceramics and Glass Technology. 2005 Invited
  8. KUKURUZNYAK, Dmitry, PARHAT, AHMET, NAGATA, Takahiro, CHIKYO, Toyohiro. Screening of composition spread libraries for composition-structure-properties relations using conducting scanning probe and X-r. the 6th Pacific Rim Conference on Ceramics and Glass Technology. 2005 Invited
  9. 長田 貴弘, Parhat Ahmet, 山田 啓作, 筒井謙, 和田恭雄, 知京 豊裕. コンビナトリアル手法によるPt-Ru系Schottky電極の作成. 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  10. 長田 貴弘, 上原剛, 佐久間 芳樹, 知京 豊裕. 大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の作製. 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  11. 長田 貴弘, 知京 豊裕. Binary-alloy Schottky contact for ZnO Based UV Photodiode Fabricated by a Combinatorial Ion Beam Assisted Deposition. the Gordon Research Conference on COMBINATORIAL & HIGH THROUGHPU. 2005
  12. 知京 豊裕, Parhat Ahmet, 中島 清美, ククルズニアック ドミトリー, 長田 貴弘, Gunter Richter, Thomas Wagner. Combinatorial synthesis and characterization. Gordon Research Conference :Combinatorial & High Throughput Mate. 2005
  13. ククルズニアック ドミトリー, Parhat Ahmet, 大毛利 健治, 長田 貴弘, 知京 豊裕. Fast structure mapping of the combinatorial samples by combinatorial XRD system. NIMS-MPI/MF workshop on collaboration in Materials Science. 2005 Invited
  14. 長田 貴弘, Parhat Ahmet, 筒井謙, 和田恭雄, 山田 啓作, 知京 豊裕. Combinatorial characterization of Pt-Ru alloys on ZnO for UV detector. NIMS-MPI-MF workshop. 2005 Invited
  15. 大毛利 健治, Parhat Ahmet, ククルズニアック ドミトリー, 長田 貴弘, 中島 清美, 山田 啓作, 白石 賢二, G. Richter, T. Wagner, K.-S. Chang, M. L. Green, 知京 豊裕. Combinatorial Materials Exploration for Gate Stack Structures of Metal Gate Electrodes and High-κ Dielectric Films. NIMS-MPI-MF workshop. 2005
  16. 知京 豊裕, Parhat Ahmet, 大毛利 健治, 長田 貴弘, 中島 清美, ククルズニアック ドミトリー, Gunther Richter, Thomas Wagner. Ternary metal and oxide thin film synthesis. NIMS-MPI mini Workshop. 2005 Invited
  17. CHIKYO, Toyohiro, PARHAT, AHMET, NAKAJIMA, Kiyomi, NAGATA, Takahiro, Gunther Richter, Thomas　Wagner. Combinatorial characterizationof metal gate /high-k oxide interface. Electric Materials Conference. 2005
  18. 長田 貴弘, Parhat Ahmet, 山田啓作, 筒井謙, 和田恭雄, 知京 豊裕. Electrical Characteristics of Pt-Ru Alloys Schottky Contact on ZnO Fabricated by a Combinatorial Method. European Materials Research Society (E-MRS) 2005 Spring Meeting. 2005
  19. 長田 貴弘, 知京 豊裕. 光デバイス用GaN立体構造の作製と評価. 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005 Invited
  20. 知京 豊裕, Parhat Ahmet, ククルズニアック ドミトリー, 中島 清美, 長田 貴弘. コンビナトリアル手法によるナノ材料開発と電子デバイスへの応用. 強磁場新機能ニュースレーター 第111回講演大会　. 2005
  21. NAGATA, Takahiro. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabrication by Focused Ion Beam Assisted Methods. The 10th International Symposium on Advanced Physical Fields. 2005
2004
  1. NAGATA, Takahiro. Schottky Metal Library for ZnO Based UV Photodiode Fabricated by the Combinatorial Ion Beam Assisted Deposition. The Third Japan - U.S. Workshop on Combinatorial Materials Scien. 2004
  2. ククルズニアック ドミトリー, Parhat Ahmet, 長田 貴弘, 山本淳, Fumio Ohuchi, 知京 豊裕. Combinatorial fabrication and characterization of complex transition metal oxides. The Third Japan-US Workshop on Combinatorial Materials Science. 2004 Invited
  3. 中島 清美, Parhat Ahmet, 長田 貴弘, ククルズニアック ドミトリー, 鯉沼 秀臣, 知京 豊裕. High throughput characterization of thin film interface by tranmission electron microscope. 第3回コンビナトリアル材料科学とその応用に関する日米ワークショッ. 2004
  4. ククルズニアック ドミトリー, Parhat Ahmet, 長田 貴弘, 知京 豊裕. High-performance gate dielectric compositions in the ternary Y2O3-HfO2-Al2O3 system. 2004 Fall Meeting. 2004
  5. 長田 貴弘, Parhat Ahmet, 山内 泰, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabrication by Focused Ion Beam System. 1st International Symposium on the Functionality of Organized Na. 2004
  6. 長田 貴弘, Parhat Ahmet, 劉 泳祚, 山田啓作, 筒井謙, 和田恭雄, 知京 豊裕. SCHOTTKY METAL LIBRARY FABRICATION FOR ZnO BASED UV PHOTODETECTOR BY COMBINATORIAL METHOD. 3rd International Workshop on ZnO and Related Materials. 2004
  7. NAGATA, Takahiro. Three-Dimensional GaN Nano Structure Fabrication by Focused Ion Beam Chemical Vapor Deposition. 14th International Conference on Ion Beam Modification of Materi. 2004
  8. 長田 貴弘, Parhat Ahmet, 劉 泳祚, 山田啓作, 筒井謙, 和田恭雄, 知京 豊裕. コンビナトリアル手法によるZnO-Schottky 素子の作製. 2004年（平成16年）秋季　第65回応用物理学会学術連合講演会. 2004
  9. 知京 豊裕, 劉 泳祚, Parhat Ahmet, 長田 貴弘, 川崎雅司, 鯉沼秀臣. Si上あるいはAl2O3上のエピタキシャルZnO薄膜. Zinc Oxide Workshop. 2004 Invited
  10. 長田 貴弘, 劉 泳祚, Parhat Ahmet, 宋政桓, 鯉沼秀臣, 知京 豊裕. 単結晶ターゲットを用いたパルスレーザー堆積法によるGaN薄膜の作製. 2004年春季応用物理学関係連合講演会. 2004

Misc TSV

2016
  1. 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向. 調査分析室レポート. (2016) 73-89
  2. 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 吉武 道子, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向 物質・材料研究のための先進計測テクノロジー. 調査分析室レポートNIMS-RAO-FY2016-3　[ISBN] 978-4-9900563-7-7. 1 (2016) 42-51
2006
  1. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. 集束イオンビームＣＶＤ法によるＧａＮ立体構造の作製と評価. BULLETIN OF THE JAPAN ELECTRONIC MATERIALS SOCIETY(日本電子材料技術協会会報). 37 (2006) 37-39
2005
  1. NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, YAMAUCHI, Yasushi, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabrication by Focused Ion Beam Assisted Methods. Proceedings of the 10th International Symposium on Advanced Physical Fields. (2005) 123-125

Published patent applications TSV

  1. 積層体及びその製造方法 (2023)
  2. 窒化ガリウム層の表面処理方法及び半導体デバイス (2023)
  3. 画像処理方法、画像処理装置、Ｘ線回折装置およびプログラム (2022)
  4. 積層膜構造体及びその製造方法 (2022)
  5. 誘電体膜およびそれを用いたキャパシタならびに誘電体膜の製造方法 (2022)
  6. 磁化測定装置、測定システム及びその測定方法 (2021)
  7. 積層膜構造体及びその製造方法 (2021)
  8. 誘電体膜およびそれを用いたキャパシタならびに誘電体膜の製造方法 (2020)
  9. ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット (2019)
  10. ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法 (2018)
  11. ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法 (2018)
  12. 誘電体薄膜 (2016)
  13. プロトン伝導体および燃料電池 (2016)
  14. 強誘電体キャパシタおよび電子デバイス (2016)
  15. 強誘電体キャパシタおよび電子デバイス (2016)
  16. ビスマス系誘電体用電極及びキャパシタ (2016)
  17. 表面増強ラマン分光分析用（ＳＥＲＳ）基板、その製造方法、それを用いたバイオセンサおよびそれを用いたマイクロ流路デバイス (2014)
  18. ｓｐ３－結合性ＢＮ高密度相を有するＢＮ薄膜およびその製造方法。 (2009)
  19. 窒化ガリウム等のⅢ族窒化物の成膜方法 (2007)

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