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patent	2018078254	ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法	2018	2024-04-26 16:11:36 +0900
patent	2017050485	ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法	2017	2024-04-26 16:11:36 +0900
patent	2017220512	トリプルゲートＨ－ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴ及びその製造方法	2017	2024-04-26 16:11:36 +0900