publication_type publication_year number author title doi reported_at Proceeding 2014 1 Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki GaAs (111)A基板上のGaSb量子ドットの成長 https://doi.org/10.1380/ejssnt.2014.304 2024-03-29 00:28:20 +0900 Proceeding 2013 1 KAWAZU, Takuya, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKAKI, Hiroyuki 液滴エピタキシー法により作製したGaSb量子ドットの後熱処理 2024-03-29 00:28:20 +0900 Proceeding 2012 1 NODA, Takeshi, JO, Masafumi, MANO, Takaaki, KAWAZU, Takuya, SAKAKI, Hiroyuki 2024-03-29 00:28:20 +0900 Proceeding 2011 1 KAWAZU, Takuya, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, Masato Ohmori, Yoshihiro Akiyama, SAKAKI, Hiroyuki 液滴エピタキシー法によるGaAs(311)A基板上のGaSbとInSbドットの成長 2024-03-29 00:28:20 +0900 Proceeding 2010 1 Y. Akiyama, T. Kawazu, T. Noda, H. Sakaki, Marília Caldas, Nelson Studart [英文の直訳]微傾斜(111)B GaAs上の準周期的多段原子ステップに沿ってInGaAsナノ島の鎖が埋め込まれた新奇なFETチャネルにおける異方的な電子伝導 https://doi.org/10.1063/1.3295401 2024-03-29 00:28:20 +0900 Proceeding 2008 1 KAWAZU, Takuya, Hiroyuki Sakaki 一定電流を流した際のn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合の磁場キャパシタンス 2024-03-29 00:28:20 +0900 Proceeding 2007 1 KAWAZU, Takuya, SAKAKI, Hiroyuki InGaAs埋め込みヘテロ接合チャネルにおけるg因子 2024-03-29 00:28:20 +0900 Proceeding 2007 2 KAWAZU, Takuya, SAKAKI, Hiroyuki InAlAsアンチドット埋め込みヘテロ接合における2次元電子散乱 2024-03-29 00:28:20 +0900 Proceeding 2007 3 Chao Jiang, KAWAZU, Takuya, Shigeki Kobayashi, SAKAKI, Hiroyuki 異方性GaSb/GaAsドットのMBE成長 2024-03-29 00:28:20 +0900