publication_type	article_identifier	title	year	reported_at
patent	EP3640942, US2020044144, WO2018230466, 3640942	強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法	2020	2024-04-19 17:20:55 +0900
patent	US2019237099, WO2017222038	Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2型化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ	2019	2024-04-19 17:20:55 +0900
patent	2018190966	面直磁化強磁性半導体ヘテロ接合素子、およびこれを用いた磁気記憶装置並びにスピンロジック素子	2018	2024-04-19 17:20:55 +0900
patent	2017005243, US2006314825	垂直磁化膜と垂直磁化膜構造並びに磁気抵抗素子および垂直磁気記録媒体	2017	2024-04-19 17:20:55 +0900
patent	US20130302649, WO2012093587	Co２基ホイスラー合金とそれを用いたスピントロニクス素子	2012	2024-04-19 17:20:55 +0900
patent	2012156485	Ｃｏ２Ｆｅ基ホイスラー合金とこれを用いたスピントロニクス素子	2012	2024-04-19 17:20:55 +0900