HOME > Profile > KAGEURA, Taisuke
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- No longer at NIMS since March 2022
Research
PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.
Research papers
- Taisuke Kageura, Yosuke Sasama, Chikara Shinei, Tokuyuki Teraji, Keisuke Yamada, Shinobu Onoda, Yamaguchi Takahide. Charge stability of shallow single nitrogen-vacancy centers in lightly boron-doped diamond. Carbon. 192 (2022) 473-481 10.1016/j.carbon.2022.01.027
- Yosuke Sasama, Taisuke Kageura, Masataka Imura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide. High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures. Nature Electronics. 5 [1] (2022) 37-44 10.1038/s41928-021-00689-4
- Aoi Morishita, Shotaro Amano, Ikuto Tsuyuzaki, Taisuke Kageura, Yasuhiro Takahashi, Minoru Tachiki, Shuuichi Ooi, Miwako Takano, Shunichi Arisawa, Yoshihiko Takano, Hiroshi Kawarada. Crystal analysis of grain boundaries in boron-doped diamond superconducting quantum interference devices operating above liquid helium temperature. Carbon. 181 (2021) 379-388 10.1016/j.carbon.2021.04.097
Presentations
- 蔭浦 泰資, 笹間 陽介, 眞榮 力, 寺地 徳之, 山田 圭介, 小野田 忍, 山口 尚秀. 低濃度ホウ素ドープダイヤモンド中における単一NV中心の電荷安定性 . 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
- 若林 千幸, 高橋 泰裕, 太田 康介, 新倉 直弥, 荒井 雅一, 蔭浦 泰資, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 有沢 俊一, 川原田 洋. 超伝導ソースドレインを有する２DHGダイヤモンドMOSFETの低温動作. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
- 笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドFET. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022