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patent	2020021829	半導体装置および半導体装置の製造方法	2020	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	2020088128	半導体装置および半導体装置の製造方法	2020	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	2020105038	半導体基板の製造方法	2020	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	2020021828	半導体装置の製造方法	2020	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	2019012826	ガリウム窒化物半導体基板の製造方法、ガリウム窒化物半導体装置の製造方法および撮像素子の製造方法	2019	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	2019012827	窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法	2019	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	2017222549	ｎ型半導体材料、ｐ型半導体材料および半導体素子	2017	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	2014143292	窒化物半導体素子の製造方法	2014	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	EP2811526, US2015034961, WO2013115269, 2811526	AIN単結晶ショットキーバリアダイオード及びその製造方法	2013	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	CN102365765A, CNN102365765A	ショットキー型接合素子とこれを用いた光電変換素子及び太陽電池	2012	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	2011082353	ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法	2011	2024-04-18 11:30:10 +0900
patent	2009054814	電子素子	2009	2024-04-18 11:30:10 +0900