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patent	WO2023286691	化合物半導体組成物、それを用いる薄膜、太陽電池、熱電材料、及びその製法	2023	2024-04-28 20:08:55 +0900
patent	2018078254	ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法	2018	2024-04-28 20:08:55 +0900
patent	2017050485	ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法	2017	2024-04-28 20:08:55 +0900
patent	2012084781	電界効果トランジスタ及びその製造方法	2012	2024-04-28 20:08:55 +0900