SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > プロフィール > 原田 善之

  • 論文・発表

[研究論文] |[書籍] |[会議録] |[口頭発表] |[特許]

研究論文 TSV

2012
  1. Seisuke Nigo, Masato Kubota, Yoshitomo Harada, Taisei Hirayama, Seiichi Kato, Hideaki Kitazawa, Giyuu Kido. Conduction band caused by oxygen vacancies in aluminum oxide for resistance random access memory. Journal of Applied Physics. 112 [3] (2012) 033711 10.1063/1.4745048
2011
  1. 原田 善之, 吉澤正人. 二硼化マグネシウム膜を用いた超伝導デバイスの開発. ケミカルエンジニアリング. 56 [5] (2011) 375-381

書籍 TSV

2012
  1. HARADA, Yoshitomo, Koichiro Kobayashi, Masahito Yoshizawa. MgB2 SQUID for Magnetocardiography. Superconductors - Properties, Technology, and Applications. 2012 , 389-404

会議録 TSV

2013
  1. HARADA, Yoshitomo, KATO, Seiichi, NIGO, Seisuke, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. 希少金属代替陽極酸化皮膜による次世代型メモリー. アルミニウム研究会誌 2013, 1-9

口頭発表 TSV

2018
  1. 原田 善之, 達 博, 田沼 繁夫, 吉川 英樹. 高エネルギー分解能REELSによるSi試料の角度分解測定. 2018年日本表面真空学会学術講演会. 2018
  2. 原田善之, DABo, 吉川英樹. 高分解能REELS装置の紹介. MI・計測 合同シンポジウム. 2018
2015
  1. TOYOMITSU, Naoki, HARADA, Yoshitomo, SANG, Liwen, SEKIGUCHI, Takashi, Tomohiro Yamaguchi, Tohru Honda, SUMIYA, Masatomo. InGaN薄膜表面に形成されたピットのCLと不純物との相関. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  2. NAKAURA, Takuya, HARADA, Yoshitomo, NAGATA, Takahiro, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro, SUZUKI, Setsu, ISHIGAKI, Takamasa, SUMIYA, Masatomo. MOCVD法を用いて成長したNドープZnO膜のアニール効果. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
2012
  1. HARADA, Yoshitomo, KATO, Seiichi, NIGO, Seisuke, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Artificially ordered anodic porous aluminum by EB imprinting technique. International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICE. 2012
  2. HARADA, Yoshitomo, KATO, Seiichi, NIGO, Seisuke, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Ubiqutous Resistive Random Access Memory device composed of Al and O elements. IUMRS-ICEM2012. 2012
  3. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Al2O3:Al-ReRAMデバイスの作製. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
2011
  1. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Low forming voltage ReRAM in Al/Al:Al2O3/Al. International Symposium on Advanced Nanodevice and Nanotechnolog. 2011
  2. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Crossbar type AlOx-ReRAM device. Intern. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology. 2011
  3. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Direct electron beam lithographic method for fabrication of long range ordered anodic porous aluminum. Intern. Symp. Advanced Nanodevice and Nanotechnology. 2011
  4. KITAZAWA, Hideaki, NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, LEE, Jeungwoo, KATO, Seiichi, NAKANO, Yoshihiro, OYOSHI, Keiji, MOMIDA, Hiroyoshi, OHNO, Takahisa, YANAGIMACHI, Osamu, INOUE, Junichi, KUMAGAI, Kazuhiro, SEKIGUCHI, Takashi, KIDO, Giyuu. ナノ計測技術によるアルミナ系ReRAMデバイス開発. 第3回AIST-NIMS計測分析シンポジウム. 2011
  5. HARADA, Yoshitomo, OHI, Akihiko, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, NABATAME, Toshihide, KIDO, Giyuu. 酸化アルミニウム系ReRAMデバイスの作製2. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  6. KATO, Seiichi, NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. 陽電子消滅法によるアルミ陽極酸化膜のナノ空孔測定. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  7. KITAZAWA, Hideaki, NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, KATO, Seiichi, NAKANO, Yoshihiro, OYOSHI, Keiji, YANAGIMACHI, Osamu, INOUE, Junichi, KIDO, Giyuu. AlOx-ReRAM素子開発の現状. 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  8. NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, KATO, Seiichi, YANAGIMACHI, Osamu, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. MIS構造のAlOx-ReRAM. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  9. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Al:Al2O3-ReRAMデバイスの作製. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  10. KATO, Seiichi, NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. 陽電子消滅法によるアルミ陽極酸化膜のナノ空孔測定. 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  11. HARADA, Yoshitomo, KATO, Seiichi, NIGO, Seisuke, KIDO, Giyuu. 化合物薄膜の作製と物性. 岡山大学理学研究科池田研究室セミナー. 2011
2010
  1. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, LEE, Jeungwoo, KATO, Seiichi, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. 陽極酸化アルミナの深さ方向成分分析. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  2. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, LEE, Jeungwoo, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. rf-GDOES depth profiling analysis of anodic porous aluminum. STAC-4. 2010
  3. KATO, Seiichi, NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, NAKANO, Yoshihiro, LEE, Jeungwoo, OYOSHI, Keiji, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Local electronic structure and memory characteristics of anodic porous alumina film as a ReRAM. STAC-4. 2010
  4. LEE, Jeungwoo, NAKANO, Yoshihiro, HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. 同時スパッタ法を用いて作製したAl2O3薄膜のスイッチング特性. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  5. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, LEE, Jeungwoo, KATO, Seiichi, OYOSHI, Keiji, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. 陽極酸化アルミナのバンド構造. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
2009
  1. NIGO, Seisuke, OHNO, Takahisa, MOMIDA, Hiroyoshi, HARADA, Yoshitomo, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Study of the memory mechanism of AlOx-ReRAM. ISANN 2009. 2009
  2. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, LEE, Jeungwoo, KATO, Seiichi, OYOSHI, Keiji, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. The energy band structure of anodic porous alumina. ISANN2009. 2009
  3. HARADA, Yoshitomo, OYOSHI, Keiji, LEE, Jeungwoo, NIGO, Seisuke, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. FIBを用いた陽極酸化アルミナReRAMデバイスの作製. 2009年秋季第70回応用物理学学術講演会. 2009
  4. LEE, Jeungwoo, NAKANO, Yoshihiro, NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Si基板上のAl2O3酸化膜の抵抗変化型スイッチング特性. 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会. 2009
  5. LEE, Jeungwoo, TAKAMASU, Tadashi, NAKANO, Yoshihiro, NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. ポーラスアルミナ膜の極低温下での輸送特性. 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会. 2009
  6. KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, YANAGIMACHI, Osamu, LEE, Jeungwoo, KIDO, Giyuu. Resistive switching mechanism of anodic amorphous alumina ReRAM. STAC-3. 2009

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第5939482号 抵抗変化型メモリ素子およびその製造方法 (2016)
  2. 特許第5874905号 アルミナ抵抗変化型メモリ素子の製造方法 (2016)
  3. 特許第5780543号 電子線描画法を用いた陽極酸化アルミナ及びその製造方法 (2015)
  4. 特許第5728785号 MIS構造の抵抗型変化型メモリ素子 (2015)
公開特許
    外国特許

      ▲ページトップへ移動