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論文 TSV

2019
  1. Bo Da, Jiangwei Liu, Yoshitomo Harada, Nguyen T. Cuong, Kazuhito Tsukagoshi, Jin Hu, Lihao Yang, Zejun Ding, Hideki Yoshikawa, Shigeo Tanuma. Observation of Plasmon Energy Gain for Emitted Secondary Electron in Vacuo. The Journal of Physical Chemistry Letters. 10 [19] (2019) 5770-5775 10.1021/acs.jpclett.9b02135
2012
  1. Seisuke Nigo, Masato Kubota, Yoshitomo Harada, Taisei Hirayama, Seiichi Kato, Hideaki Kitazawa, Giyuu Kido. Conduction band caused by oxygen vacancies in aluminum oxide for resistance random access memory. Journal of Applied Physics. 112 [3] (2012) 033711 10.1063/1.4745048
2011
  1. 原田 善之, 吉澤正人. 二硼化マグネシウム膜を用いた超伝導デバイスの開発. ケミカルエンジニアリング. 56 [5] (2011) 375-381

書籍 TSV

2012
  1. HARADA, Yoshitomo, Koichiro Kobayashi, Masahito Yoshizawa. MgB2 SQUID for Magnetocardiography. Superconductors - Properties, Technology, and Applications. , 2012, 389-404.

口頭発表 TSV

2019
  1. SUZUKI, Mineharu, HARADA, Yoshitomo, 上島 豊, MATSUNAMI, Shigeyuki, 後藤 敬典, YOSHIKAWA, Hideki. Application of Electric Laboratory Norebook for Analysis Records in Materials Research. 8th International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA-19). 2019
  2. HARADA, Yoshitomo, SUZUKI, Mineharu, SHINOTSUKA, Hiroshi, NAGAO, Hiroko, MATSUNAMI, Shigeyuki, YOSHIKAWA, Hideki. High throughput XPS spectrum analysis by using IoT data transfer system. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  3. 松波 成行, 原田 善之, 鈴木 峰晴, 篠塚 寛志, 長尾 浩子, 松田 朝彦, 吉川 英樹. 材料計測データのハイスループットな収集と計測インフォマティクス. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  4. 鈴木 峰晴, 長尾 浩子, 原田 善之, 篠塚 寛志, 松波 成行, 吉川 英樹. 計測データ可読化変換ツールの開発とその公開. 第53回表面分析研究会. 2019
  5. 原田 善之, 達 博, 篠塚 寛志, 田沼 繁夫, 吉川 英樹, 柳原英人. 可視光から超軟X線帯の誘電関数データベースを目指した、高エネルギー分解能REELS装置の開発. 表面分析研究会第53回研究会. 2019
  6. 原田 善之, 後藤敬典, 吉川 英樹. AES・SEのDBと仕事関数の実験的考察 その2. マイクロビームアナリシス第141委員会第176回研究会. 2019
  7. 原田 善之, 後藤敬典, 吉川 英樹. Taのスペクトルと仕事関数の実験的考察. 学振141委員会第175回研究会. 2019
2018
  1. 原田 善之, 達 博, 田沼 繁夫, 吉川 英樹. 高エネルギー分解能REELSによるSi試料の角度分解測定. 2018年日本表面真空学会学術講演会. 2018
  2. 原田善之, DABo, 吉川英樹. 高分解能REELS装置の紹介. MI・計測 合同シンポジウム. 2018
2012
  1. HARADA, Yoshitomo, KATO, Seiichi, NIGO, Seisuke, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Artificially ordered anodic porous aluminum by EB imprinting technique. International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICE. 2012
  2. HARADA, Yoshitomo, KATO, Seiichi, NIGO, Seisuke, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Ubiqutous Resistive Random Access Memory device composed of Al and O elements. IUMRS-ICEM2012. 2012
  3. 原田 善之, 児子 精祐, 加藤 誠一, 中野 嘉博, 北澤 英明, 木戸 義勇. Al2O3:Al-ReRAMデバイスの作製. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
2011
  1. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Direct electron beam lithographic method for fabrication of long range ordered anodic porous aluminum. Intern. Symp. Advanced Nanodevice and Nanotechnology. 2011
  2. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Crossbar type AlOx-ReRAM device. Intern. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology. 2011
  3. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Low forming voltage ReRAM in Al/Al:Al2O3/Al. International Symposium on Advanced Nanodevice and Nanotechnolog. 2011
  4. 北澤 英明, 児子 精祐, 原田 善之, 李 政祐, 加藤 誠一, 中野 嘉博, 大吉 啓司, 籾田 浩義, 大野 隆央, 柳町 治, 井上 純一, 熊谷 和博, 関口 隆史, 木戸 義勇. ナノ計測技術によるアルミナ系ReRAMデバイス開発. 第3回AIST-NIMS計測分析シンポジウム. 2011
  5. 原田 善之, 児子 精祐, 加藤 誠一, 中野 嘉博, 北澤 英明, 木戸 義勇. Al:Al2O3-ReRAMデバイスの作製. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  6. 加藤 誠一, 児子 精祐, 原田 善之, 北澤 英明, 木戸 義勇. 陽電子消滅法によるアルミ陽極酸化膜のナノ空孔測定. 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  7. 児子 精祐, 原田 善之, 加藤 誠一, 柳町 治, 中野 嘉博, 北澤 英明, 木戸 義勇. MIS構造のAlOx-ReRAM. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  8. 加藤 誠一, 児子 精祐, 原田 善之, 北澤 英明, 木戸 義勇. 陽電子消滅法によるアルミ陽極酸化膜のナノ空孔測定. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  9. 北澤 英明, 児子 精祐, 原田 善之, 加藤 誠一, 中野 嘉博, 大吉 啓司, 柳町 治, 井上 純一, 木戸 義勇. AlOx-ReRAM素子開発の現状. 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  10. 原田 善之, 大井 暁彦, 児子 精祐, 加藤 誠一, 北澤 英明, 生田目 俊秀, 木戸 義勇. 酸化アルミニウム系ReRAMデバイスの作製2. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  11. 原田 善之, 加藤 誠一, 児子 精祐, 木戸 義勇. 化合物薄膜の作製と物性. 岡山大学理学研究科池田研究室セミナー. 2011
2010
  1. 原田 善之, 児子 精祐, 李 政祐, 加藤 誠一, 中野 嘉博, 北澤 英明, 木戸 義勇. 陽極酸化アルミナの深さ方向成分分析. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  2. KATO, Seiichi, NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, NAKANO, Yoshihiro, LEE, Jeungwoo, OYOSHI, Keiji, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Local electronic structure and memory characteristics of anodic porous alumina film as a ReRAM. STAC-4. 2010
  3. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, KATO, Seiichi, LEE, Jeungwoo, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. rf-GDOES depth profiling analysis of anodic porous aluminum. STAC-4. 2010
  4. 原田 善之, 児子 精祐, 李 政祐, 加藤 誠一, 大吉 啓司, 中野 嘉博, 北澤 英明, 木戸 義勇. 陽極酸化アルミナのバンド構造. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  5. 李 政祐, 中野 嘉博, 原田 善之, 児子 精祐, 加藤 誠一, 北澤 英明, 木戸 義勇. 同時スパッタ法を用いて作製したAl2O3薄膜のスイッチング特性. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
2009
  1. HARADA, Yoshitomo, NIGO, Seisuke, LEE, Jeungwoo, KATO, Seiichi, OYOSHI, Keiji, NAKANO, Yoshihiro, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. The energy band structure of anodic porous alumina. ISANN2009. 2009
  2. NIGO, Seisuke, OHNO, Takahisa, MOMIDA, Hiroyoshi, HARADA, Yoshitomo, KITAZAWA, Hideaki, KIDO, Giyuu. Study of the memory mechanism of AlOx-ReRAM. ISANN 2009. 2009
  3. 李 政祐, 中野 嘉博, 児子 精祐, 原田 善之, 加藤 誠一, 北澤 英明, 木戸 義勇. Si基板上のAl2O3酸化膜の抵抗変化型スイッチング特性. 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会. 2009
  4. 原田 善之, 大吉 啓司, 李 政祐, 児子 精祐, 中野 嘉博, 北澤 英明, 木戸 義勇. FIBを用いた陽極酸化アルミナReRAMデバイスの作製. 2009年秋季第70回応用物理学学術講演会. 2009
  5. 李 政祐, 高増 正, 中野 嘉博, 児子 精祐, 原田 善之, 加藤 誠一, 北澤 英明, 木戸 義勇. ポーラスアルミナ膜の極低温下での輸送特性. 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会. 2009
  6. KATO, Seiichi, KITAZAWA, Hideaki, NIGO, Seisuke, HARADA, Yoshitomo, YANAGIMACHI, Osamu, LEE, Jeungwoo, KIDO, Giyuu. Resistive switching mechanism of anodic amorphous alumina ReRAM. STAC-3. 2009

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第5939482号 抵抗変化型メモリ素子およびその製造方法 (2016)
  2. 特許第5874905号 アルミナ抵抗変化型メモリ素子の製造方法 (2016)
  3. 特許第5780543号 電子線描画法を用いた陽極酸化アルミナ及びその製造方法 (2015)
  4. 特許第5728785号 MIS構造の抵抗型変化型メモリ素子 (2015)
公開特許出願
    外国特許

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