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patent	2023045834	積層体、積層体を含む電子源及び電子デバイス、並びに積層体の製法及び浄化方法	2023	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	2023002885	平面型熱電変換素子、および、その製造方法	2023	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	WO2023048139	積層体、積層体を含む電子源及び電子デバイス、並びに積層体の製法及び浄化方法	2023	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	2009173512	二ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ２）単結晶の育成法及び半導体形成用基板	2009	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	2008041709	素子基板とその製造方法	2008	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	2007169083	半導体結晶成長用炭化物単結晶基板	2007	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	2004238226	アナターゼナノ結晶薄膜光触媒	2004	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	2001213690	六ホウ化希土類単結晶の育成法	2001	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	2000080471	ＳｉＣ薄膜の作成法	2000	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	H10251095	ニホウ化レニウム単結晶の製造方法	1998	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	H04061724	炭化ニオブフィールドエミッターの作製方法	1992	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	H03103399	黒鉛薄膜を有する金属炭化物とその製造法	1991	2024-05-01 15:42:13 +0900
patent	H03131735	極高真空用真空計	1991	2024-05-01 15:42:13 +0900