HOME > Profile > TSUKAGOSHI, Kazuhito
- Address
- 305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]
Research
- Keywords
パイ電子系、ナノエレクトロニクス、電流注入
PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.
Research papers
- Yue Shi, Takaaki Taniguchi, Ki-Nam Byun, Daiki Kurimoto, Eisuke Yamamoto, Makoto Kobayashi, Kazuhito Tsukagoshi, Minoru Osada. Damage-free LED lithography for atomically thin 2D material devices. Scientific Reports. 13 [1] (2023) 2583 10.1038/s41598-023-29281-w
- Shuji Kobayashi, Satoshi Kaneko, Kazuhito Tsukagoshi, Tomoaki Nishino. Conductance Modulation in an α-Terthiophene Molecular Junction Characterized by Surface-Enhanced Raman Scattering. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 21 [1] (2022) 2023-004 10.1380/ejssnt.2023-004
- Shisheng Li, Jinhua Hong, Bo Gao, Yung‐Chang Lin, Hong En Lim, Xueyi Lu, Jing Wu, Song Liu, Yoshitaka Tateyama, Yoshiki Sakuma, Kazuhito Tsukagoshi, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi. Tunable Doping of Rhenium and Vanadium into Transition Metal Dichalcogenides for Two‐Dimensional Electronics. Advanced Science. (2021) 2004438
Books
- Mahito Yamamoto, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Growth and Electronic and Optoelectronic Applications of Surface Oxides on Atomically Thin WSe2. System-Material Nanoarchitectonics. Springer, 2022, 12.
- 塚越 一仁, 榊 裕之. 原子膜エレクトロニクス. 丸文財団20周年記念出版「科学技術立国 日本を築くⅡ 次代を拓く気鋭の研究. , 2017, 137-144.
- 中払 周, 小川 真一, 塚越 一仁, 佐藤 信太郎, 横山 直樹. ウェハスケール・トップダウン加工でのグラフェントランジスタ試作. カーボンナノチューブ・グラフェンの 応用研究最前線. , 2016, 201-207.
Proceedings
- Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). (2019) 10.1109/edtm.2019.8731167
- Hiroki Ago, Yui Ogawa, Kenji Kawahara, Yoshito Ito, Baoshan Hu, Carlo M. Orofeo, Pablo Soils Fernandez, Hiroko Endo, Hiroki Hibino, Seigi Mizuno, Kazuhito Tsukagoshi, Masaharu Tsuji. Epitaxial CVD Growth of High-Quality Graphene and Recent Development of 2D Heterostructures. 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) . (2015) 10.1109/iedm.2015.7409779
- H. Tomori, A. Kanda, H. Goto, S. Takana, Y. Ootuka, K. Tsukagoshi. Fabrication of ultrashort graphene Josephson junctions. PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS. (2010) 1492-1495 10.1016/j.physc.2010.05.146
Presentations
- 濵瀬 理紗子, 金子 哲, 塚越 一仁, 西野 智昭. 単分子接合の光誘起スイッチへの適用. 日本化学会第103回春季年会. 2023
- 本間 寛治, 金子 哲, 塚越 一仁, 西野 智昭. 単分子接合の接続構造に起因するSERS強度blinking現象の観測. 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
- 女屋 崇, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 塚越 一仁, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之. 分極疲労時の強誘電体HfxZr1−xO2/TiN界面反応に起因した酸素欠損生成の起源. 2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
Misc
- Shuhei Watanabe, Satoshi Kaneko, Shintaro Fujii, Tomoaki Nishino, Shinya Kasai, Kazuhito Tsukagoshi, Manabu Kiguchi. Gap width-independent spectra in 4-aminothiophenol surface enhanced Raman scattering stimulated in Au-gap array. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [6] (2017) 065202 10.7567/jjap.56.065202
- 塚越 一仁. 図解：ナノカーボン. OYO BUTURI. (2015) 642-643
- 塚越 一仁. インジウム系酸化膜トランジスタの特性と必要性. 鉱山. 67 [730(9)] (2014) 24-32
Patents
- No. 6252903 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
- No. 6583812 多層構成の薄膜トランジスタの製造方法 (2019)
- No. 6261125 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
- No: 2011171524 有機半導体デバイスのコンタクト構造、有機半導体デバイス及びその作製方法 (2011)
- No: 2012033904 有機半導体薄膜形成方法、半導体素子及び有機電界効果トランジスタ (2012)
- No: 2013058680 有機半導体単結晶形成方法及び有機半導体デバイス (2013)