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著者名R.S. Yu, Masaki Maekawa, Atsuo Kawasuso, SEKIGUCHI, Takashi, B.Y. Wang, X.B. Qin, Q.Z. Wang.
タイトルMicrostructure evolution of Ge+ implanted silicon oxide thin films upon annealing treatments
発表誌名NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
発表年2009
言語English

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