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著者名	Wipakorn Jevasuwan, Yuji Urabe, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.
タイトル	Controlling Anion Composition at Metal–Insulator–Semiconductor Interfaces on III–V Channels by Plasma Processing
発表誌名	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
発表年	2012
言語	English
DOI	10.7567/jjap.51.065701
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