HOME > Presentation > DetailEBICによるHigh-k/metal gate構造内の電気ストレス誘起欠陥発生のその場観察(In-situ EBIC observation of electrical-stress induced defects in high-K/metal gate stacks)陳 君, 関口 隆史, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 佐藤基之, 奈良安雄, 山田啓作. 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会 . 2009.NIMS author(s)CHEN, JunFUKATA, NaokiCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:13:45 +0900Updated at: 2017-07-10 20:28:07 +0900