HOME > 口頭発表 > 書誌詳細高圧下でのSi,TeドープしたCoSb3の電子状態(Electronic structure of Si and Te doped CoSb3 under high pressure)小林 一昭, カーン アタ ウラ, 森 孝雄. HPSP-17 & WHS. 2016.NIMS著者小林 一昭森 孝雄Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 05:12:09 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:28:23 +0900