HOME > Presentation > DetailGe/GaAs(001)ヘテロエピタキシーにおける成長異方性(Growth Anisotropy in Ge/GaAs(001) heteroepitaxy)大竹 晃浩, 安田哲二, 宮田典幸. 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会. 2008.NIMS author(s)OHTAKE, AkihiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:26:06 +0900Updated at: 2017-07-10 20:15:32 +0900