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酸素分子による4H-SiC表面酸化の動的シミュレーションおよび第一原理解析
(Dynamical Simulations of O2 Oxidation Processes on 4H-SiC Surfaces and First-Principles Analyses)
先進パワー半導体分科会 第１回講演会. 2014.
NIMS author(s)
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Created at: 2017-02-14 11:33:14 +0900Updated at: 2017-07-10 22:03:57 +0900