デュアルゲート構造とヘリウムイオン照射チャネルを有するグラフェントランジスタの極性可変動作
(Polarity-Reversible Transistor Operation in Dual-Gated Graphene Transistors with Helium Ion Irradiated Graphene Channel)
「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」2013年 成果報告. 2013-03-13.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:45:26 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:43:09 +0900