HOME > Presentation > Detailデュアルゲート構造とヘリウムイオン照射チャネルを有するグラフェントランジスタの極性可変動作(Polarity-Reversible Transistor Operation in Dual-Gated Graphene Transistors with Helium Ion Irradiated Graphene Channel)中払 周, 飯島智彦, 小川真一, 塚越 一仁, 佐藤信太郎, 横山直樹. 「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」2013年 成果報告. 2013-03-13.NIMS author(s)TSUKAGOSHI, KazuhitoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:45:26 +0900Updated at: 2017-07-10 21:43:09 +0900