HOME > 口頭発表 > 書誌詳細デュアルゲート構造とヘリウムイオン照射チャネルを有するグラフェントランジスタの極性可変動作(Polarity-Reversible Transistor Operation in Dual-Gated Graphene Transistors with Helium Ion Irradiated Graphene Channel)中払 周, 飯島智彦, 小川真一, 塚越 一仁, 佐藤信太郎, 横山直樹. 「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」2013年 成果報告. 2013.NIMS著者塚越 一仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:45:26 +0900 更新時刻 :2017-07-10 21:43:09 +0900