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SiO2ダミープロセスを用いたc及びm面のGaN/Al2O3/PtキャパシタのPBS特性の改善
(Improvement of PBS properties for c- and m-planes GaN/Al2O3/Pt capacitors using the SiO2 dummy process)
第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. January 31, 2024-February 02, 2024.
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Created at: 2024-02-09 03:10:28 +0900 Updated at: 2024-02-09 03:10:28 +0900