EXAFS 法によるSi 結晶中のBi ドーピング層形成過程の研究1:埋め込みBi 原子細線構造の局所構造解析
(EXAFS study of formation mechanism of Bi doping layer in Si 1:local structure analysis of encapsulated Bi nanoline)
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会. 2012.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:19:44 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:18:01 +0900