HOME > Presentation > DetailEBIC法によるHfSiON MOSFETのリーク箇所の観察(Observation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by electron-beam-induced current)関口 隆史, 陳 君, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 梅澤 直人, 大毛利 健治, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 犬宮誠治, 奈良安雄. 日本応用物理学会. 2006.NIMS author(s)CHEN, JunFUKATA, NaokiCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:04:16 +0900Updated at: 2017-07-10 19:40:19 +0900