HOME > Presentation > DetailPドープSiナノワイヤ中の欠陥の水素・酸素による不活性化とドナー濃度制御(Passivation of defects and doping control in Si nanowires by hydrogen and oxygen treatments)深田 直樹, 松下聡, 陳 君, 関口 隆史, 内田紀行, 村上浩一. 春季第55回応用物理学会学術講演会. 2008.NIMS author(s)FUKATA, NaokiCHEN, JunFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 10:57:51 +0900Updated at: 2017-07-10 20:09:02 +0900