HOME > Presentation > Detail
電子線誘起電流法によるGaN Schottky領域の転位と電流リーク箇所の観察
(EBIC Investigation of Dislocations and Leakage Sites in GaN Schottky Diode)
第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2018-03-15 22:37:43 +0900Updated at: 2018-06-05 14:19:03 +0900