硫黄原子空孔形成による二硫化モリブデン表面の電子状態変化
(Electronic States Modification of a MoS2 Surface by Sulfur Vacancy Formation)
分子アーキテクトニクス研究会 第5回研究会. 2014年11月25日-2014年11月26日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:21:26 +0900 更新時刻: 2017-07-10 22:01:49 +0900