HOME > Presentation > Detail硫黄原子空孔形成による二硫化モリブデン表面の電子状態変化(Electronic States Modification of a MoS2 Surface by Sulfur Vacancy Formation)長谷川 剛, 児玉 奈木沙, 宇南山 聡美, 鶴岡 徹, ヨアヒム クリスチャン, 青野 正和. 分子アーキテクトニクス研究会 第5回研究会. November 25, 2014-November 26, 2014.NIMS author(s)TSURUOKA, TohruAONO, MasakazuFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:21:26 +0900Updated at: 2017-07-10 22:01:49 +0900