HOME > Presentation > Detail(High quality boron-doped {111} homoepitaxial diamond thin films grown for electrical device applications )ラーザ アンドラーダ, 寺地 徳之, 小泉 聡. 第24回ダイヤモンドシンポジウム. 2010.NIMS author(s)TERAJI, TokuyukiKOIZUMI, SatoshiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 05:04:09 +0900Updated at: 2017-07-10 20:57:16 +0900