HOME > Presentation > Detail放射光硬X線光電子分光によるInN/GaN界面バンド構造の決定(Determination of band structures of InN/GaN interfaces by synchrotron radiation hard X-ray photoemission spectroscopy)豊島安志, 堀場弘司, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治, 三木久幸, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 第22回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム. 2009.NIMS author(s)UEDA, ShigenoriYAMASHITA, YoshiyukiYOSHIKAWA, HidekiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 04:09:33 +0900Updated at: 2017-07-10 20:21:05 +0900