HOME > 口頭発表 > 書誌詳細低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性(Characteristics of In2O3 films on Al2O3 and SiO2 substrates using low-temperature ALD method)小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 木津 たきお, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦池田 直樹長田 貴弘塚越 一仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2019-06-07 03:00:21 +0900 更新時刻 :2019-06-07 03:00:21 +0900