HOME > Presentation > DetailInterface stability of electrode/Bi-contained relaxor ferroelectric oxide stack struc-ture for high temperature operational capacitor長田 貴弘, ソム クマラグルバラン, 恒川 吉文, 山下 良之, 上田 茂典, 高橋 健一郎, 李 成奇, 鈴木 摂, オウ セウンジン, 知京 豊裕. 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference . 2015.NIMS author(s)NAGATA, TakahiroYAMASHITA, YoshiyukiUEDA, ShigenoriCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 10:57:12 +0900Updated at: 2017-07-10 22:14:34 +0900