HOME > Presentation > Detail高圧下でのSi,TeドープしたCoSb3の電子状態と格子構造(Electronic and Lattice Properties of Si- and Te-doped CoSb3 Compounds under High Pressures)小林 一昭, カーン アタ ウラ, 森 孝雄. IUMRS-ICAM 2017. 2017.NIMS author(s)KOBAYASHI, KazuakiMORI, TakaoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-08-31 22:29:09 +0900Updated at: 2018-06-05 14:12:13 +0900