HOME > Presentation > Detailレーザーアブレーション法により生成したBドープSiナノ細線のラマン散乱測定(Raman scattering measurements of B-doped silicon nanowires synthesized by laser ablation)岡田直也, 深田 直樹, 大島崇, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. 2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会. 2006.NIMS author(s)FUKATA, NaokiCHEN, JunFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 05:14:28 +0900Updated at: 2017-07-10 19:32:17 +0900