HOME > Presentation > Detail
高誘電率絶縁膜HfO2中の炭素不純物の原子構造と電子構造：第一原理計算による考察
応用物理学会 簿膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共. 2004.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2017-02-14 11:47:44 +0900Updated at: 2017-07-10 18:54:15 +0900