HOME > 口頭発表 > 書誌詳細高誘電率絶縁膜HfO2中の炭素不純物の原子構造と電子構造：第一原理計算による考察白石賢二, 山田啓作, 斎藤 峯雄, 大野 隆央, 有門経敏. 応用物理学会 簿膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共. 2004.NIMS著者Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:47:44 +0900更新時刻: 2017-07-10 18:54:15 +0900
