HOME > Presentation > DetailInAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長(Growth of metamorphic InGaAs on GaAs(111)A using thin InAs layer)間野 高明, ハ ヌル, 三石 和貴, 黒田 隆, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014.NIMS author(s)MANO, TakaakiMITSUISHI, KazutakaKURODA, TakashiOHTAKE, AkihiroNODA, TakeshiSAKUMA, YoshikiSAKODA, KazuakiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:06:36 +0900Updated at: 2017-07-10 21:48:05 +0900