HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor FormationSAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. 239th ECS Meeting/ https://www.electrochem.org/239. 2021.NIMS著者サプトロ ラハマト ハディ松村 亮深田 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2021-06-11 03:00:18 +0900 更新時刻 :2021-06-11 03:00:18 +0900