HOME > Presentation > DetailAl2O3/n-GaNキャパシタの自然酸化膜層が電気特性へ及ぼす影響(Influence of native oxide layer on electrical characteristics of Al2O3/n-GaN capacitors)生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 小出 康夫, 大石知司. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2018.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideIROKAWA, YoshihiroOHI, AkihikoIKEDA, NaokiSANG, LiwenKOIDE, YasuoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2018-04-18 22:22:18 +0900 Updated at :2018-06-05 14:19:49 +0900