HOME > Presentation > Detail酸化アルミニウム系ReRAMデバイスの作製2(Fabrication of aluminum oxide based ReRAM devices 2)原田 善之, 大井 暁彦, 児子 精祐, 加藤 誠一, 北澤 英明, 生田目 俊秀, 木戸 義勇. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011.NIMS author(s)OHI, AkihikoKATO, SeiichiKITAZAWA, HideakiNABATAME, ToshihideFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2017-01-08 04:48:22 +0900 Updated at :2017-07-10 21:09:54 +0900