HOME > Presentation > Detail第一原理計算によるa-,m-面上の4H-SiC/SiO2 界面モデル構造の構築金子 智昭, 田島 暢夫, 山崎 隆浩, 加藤弘一, 奈良 純, 清水達雄, 大野 隆央. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018.NIMS author(s)NARA, JunOHNO, TakahisaFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2019-03-04 10:08:48 +0900 Updated at :2019-03-04 10:08:48 +0900