４H-SiCトレンチMOSFETにおける加工ダメージのナノ顕微分光解析
(Photoelectron nano-spectroscopy of reactive ion etching-caused damages on trench sidewalls and bottoms in 4H-SiC trench-MOSFET)
The 8th International Symposium on Surface Science. 2017.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-10-17 22:16:59 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:14:07 +0900