HOME > 公開特許出願 > 書誌詳細[公開特許出願] 単結晶ダイヤモンド上にPZT薄膜を形成する方法、PZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンド、及びPZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンドを使用したキャパシタ2011-06-09. 特開2011113986号 (Google Patents) , 特許5344482号NIMS著者小出 康夫廖 梅勇作成時刻 :2023-07-22 21:45:28 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:45:28 +0900