h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
(Normally-off high-mobility diamond field-effect transistor with an h-BN gate insulator)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2022-12-29 03:28:25 +0900 更新時刻: 2023-10-10 10:59:24 +0900