HOME > その他の文献 > 詳細h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ(Normally-off high-mobility diamond field-effect transistor with an h-BN gate insulator)著者笹間 陽介, 山口 尚秀. 掲載誌名New diamond 20-25出版社出版年2022言語Japanese