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h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
(Normally-off high-mobility diamond field-effect transistor with an h-BN gate insulator)

著者笹間 陽介, 山口 尚秀.
掲載誌名New diamond 20-25
出版社
出版年2022
言語Japanese

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