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著者名笹間 陽介, 小松 克伊, 井村 将隆, 森山 悟士, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀.
タイトルhBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
(High-mobility Diamond Field-effect Transistor with an hBN Heterointerface)
掲載誌名NEW DIAMOND 9 15
発表年2019
言語Japanese
ESIでのカテゴリ

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