Observation of lateral band-bending in the edge vicinity of atomically-thin Bi insulating film formed on Si(111) surface | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Observation of lateral band-bending in the edge vicinity of atomically-thin Bi insulating film formed on Si(111) surface
(Si(111)表面に成長させた絶縁性Ｂｉ超薄膜におけるエッジ近傍のラテラルバンドベンディングの観察)

Katsumi Nagaoka, Takashi Uchihashi, Tomonobu Nakayama.

Surface Science 644 41-45. 2016.

https://doi.org/10.1016/j.susc.2015.09.008

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作成時刻: 2016-05-24 18:00:24 +0900更新時刻: 2024-04-01 19:04:09 +0900

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