Superconductivity in the Doped Topological Insulator<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mi>Cu</mml:mi><mml:mi>x</mml:mi></mml:msub><mml:msub><mml:mi>Bi</mml:mi><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mi>Se</mml:mi><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:math>under High Pressure | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Superconductivity in the Doped Topological InsulatorCuxBi2Se3under High Pressure
(トポロジカル絶縁体CuxBi2Se3の高圧下の超伝導特性)

T. V. Bay, T. Naka, Y. K. Huang, H. Luigjes, M. S. Golden, A. de Visser.

Physical Review Letters 108 [5] 057001. 2012.

https://doi.org/10.1103/physrevlett.108.057001

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作成時刻: 2016-05-24 16:33:22 +0900更新時刻: 2024-03-31 14:46:49 +0900

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