HOME > Article > Detailナノ電子デバイスの動作下における電子状態の直接観測法の開発山下 良之. ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基盤・界面効果ー 434-442. 2013.NIMS author(s)YAMASHITA, YoshiyukiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2016-05-24 17:04:23 +0900Updated at: 2018-06-15 22:11:51 +0900
