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著者名Binhui Hu, M. M. Yazdanpanah, B. E. Kane, E. H. Hwang, S. Das Sarma.
タイトルStrongly Metallic Electron and Hole 2D Transport in an Ambipolar Si-Vacuum Field Effect Transistor
掲載誌名Physical Review Letters 115 [3]
ISSN: 10797114, 00319007
ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社American Physical Society (APS)
発表年2015
言語English
DOIhttps://doi.org/10.1103/physrevlett.115.036801
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